カテゴリー :
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
75 A
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
3.9V @ 15V,45A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
500 µA
入力容量 (Cies) @ Vce :
3.94 nF @ 25V
記述 :
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP