カテゴリー :
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
61A
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
2.3V @ 15V、50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
22-PIM (55×32.5)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
200μA
入力容量 (Cies) @ Vce :
9.075 nF @ 20V
記述 :
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V,1