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MIP75R12E2ATN-BP
MIP75R12E2ATN-BP
仕様
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
75 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
シリーズ :
-
パッケージ/ケース :
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
2.15V @ 15V,75A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
E2A
Mfr :
マイクロ・コマーシャル
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
1mA
IGBTタイプ :
-
パワー - マックス :
476W
インプット :
三相橋整流器
入力容量 (Cies) @ Vce :
4.2 nF @ 25V
構成 :
3相インバーター
NTC サーミストール :
はい
基本製品番号 :
MIP75
記述 :
IGBT モジュール 1200V 75A,E2A
記述
IGBT モジュール 3相インバーター 1200 V 75 A 476 W シャーシマウント E2A
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MIP75R12E2ATN-BP

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製品詳細
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
75 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
シリーズ :
-
連絡するサプライヤー
MIP75R12E2ATN-BP

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
2 年数
hongkong
ありがとうございました 2016
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1 Million-2.5 Million
従業員数 :
20~50
認証レベル :
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