シリコン・カービッド・ウエーファー 8インチ 200mm 磨き基板半導体中国からのビデオ

Jun 05, 2025

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製品説明: シリコン・カービッド・ウェーファー 8インチ 200mm 磨き基板半導体製品説明 8インチSiCウエフルの需要は,複数の産業で急速に増加しています.これらの高品質の基板は,研究,開発,商業的なアプリケーションをサポートするために不可欠です.半導体メーカー世界各地の研究者や革新者は特殊な特性ともっと学ぶ

シリコン・カービッド・ウエーファー 8インチ 200mm 磨き基板半導体

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シリコン・カービッドのウエフラー

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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