4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする中国からのビデオ

Jun 22, 2025

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製品説明: 8inch dia200mm 4H-Nの生産の等級の模造の等級SiCのウエファー生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、アプリケーション領域 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキーダイオード、 JFET、BJもっと学ぶ

4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする

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4h-n

中国

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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