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Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ
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仕様
モデル番号 :
3C-N SiC
産地 :
中国
最低注文量 :
10パーセント
支払条件 :
T/T
供給能力 :
1000pc/month
配達時間 :
30days
パッケージの詳細 :
カスタマイズされたプラスチックボックス
サイズ :
2インチ,4インチ,6インチ,5×5,10×10
ダイレクトリ常数 :
9.7
表面硬さ :
HV0.3>2500
密度 :
3.21 G/cm3
熱膨張係数 :
4.5 X 10-6/K
断定電圧 :
5.5MV/cm
申請 :
通信,レーダーシステム
記述

製品説明

Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ

3C-SiC (キュービックシリコンカービッド) は,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波,高周波高電力および電子機器のアプリケーションN型ドーピングは,通常,窒素 (N) とリン (P) などの元素を導入することによって達成され,材料が電子負になり,さまざまな電子機器設計に適しています.バンドギャップは約3N型ドーピングは依然として高い電子移動性を維持し,デバイスの性能を向上させる.優れた熱伝導性 は,電源 装置 の 熱 消散 能力 を 向上 さ せる. 機械的な強度が高く,厳しい環境での使用に適しています. 幅広い化学物質に強い耐性があり,産業用用途に適しています. 電力電子機器では,高効率の電源変換器とドライブに使用される電気自動車と再生可能エネルギーシステムに適しています
 

Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ

 

 

特徴

  • 広い帯域間隔:高温および高電圧のアプリケーションでは約3.0 eVの帯域間隔.
  • 高電子移動性:N型ドーピングは電子の移動性を良くし,デバイスの全体的な性能を向上させる.
  • 優れた熱伝導性: 優れた熱伝導性があり,高功率アプリケーションに適した熱散性能を効果的に改善します.
  • 優れた機械的強度:高強度と圧縮強度があり,厳しい環境での使用に適しています.
  • 化学 耐性: 材料の安定性を高めるため,様々な化学物質に耐性があります.
  • 調整可能な電気特性: ドーピング濃度を調整することで,さまざまなアプリケーションのニーズを満たすために異なる電気特性を得ることができます.

Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ

 

技術パラメータ

 

資産

 N-タイプ3C-SiC, シングルクリスタル
格子パラメータ a=4.349 Å
積み重ねの順序 ABC
モース硬さ ≈92
密度 2.36g/cm3
熱 膨張係数 3.8×10-6/K
屈折指数 @750nm

n=2 とする.615
ダイエレクトリック常数 c~966

熱伝導性

3-5 W/cm·K@298K
バンドギャップ 2.36 eV
断裂する電場 2-5×106V/cm

飽和漂流速度

 2.7×107m/s

 

 

※ シリコンカービード 材料 属性 参考になるだけです

 

申請

 

1電力電子機器:高効率の電力変換機,インバーターおよび駆動装置のために,電気自動車および再生可能エネルギーシステムに広く使用されています.

2RF&マイクロ波機器: RF増幅器,マイクロ波機器,特に通信およびレーダーシステムに適しています.

3光電子:特に青と紫外線アプリケーションでは,LEDと光検出器のビルディングブロックとして使用できます.

4センサー:高温および高電力環境における幅広いセンサーに適用され,信頼性の高いパフォーマンスを提供します.

5ワイヤレス充電とバッテリー管理: 効率とパフォーマンスを向上させるためにワイヤレス充電システムとバッテリー管理デバイスで使用されます.

6産業用電気機器: 産業用自動化および制御システムで使用され,エネルギー効率とシステム安定性を向上させる.
 
 

Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ

 

 

カスタマイズ

私たちのSiC基板は3C-Nタイプで利用可能で,RoHS認証されています. 最低注文量は10pcで,価格はケースごとに異なります. 梱包の詳細はカスタマイズされたプラスチックボックスです.配達時間は30日以内です. 我々はT/T支払い条件を受け入れます.供給能力は月1000pcです. SiC基板のサイズは6インチです. 起源地は中国です.

Sic 3C-N タイプ サイズ レーダーシステム用の機械伝導型 MPD 生産グレードゼロ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

よくある質問

1.Q: 3C-N シリコンカービッド基板の特性は何ですか?

A: 3C-N型シリコンカービッド基板は電子移動性が高く,装置がFNトンネル電流を小さくし,酸化物製剤の信頼性が高くなります.装置の生産量を大幅に改善することができます同時に,3C-SiCはバンドギャップ幅が小さいため,デバイス製造における応用にも利点があります.

2Q: シリコンカービッド基板の大きさは,その適用にどのように影響する?

A: シリコンカービッド基板のサイズ (直径と厚さ) は,その主要な指標の1つです.基板のサイズが大きいほど,基板単位ごとにより多くのチップが製造できます.ユニットチップのコストが低いほど装置の熱分散と安定性にも有利です 現在では,シリコンカービッド基板は,大きなサイズ方向に常に発展しています.

3Q: 3C-N SIC 基板と上軸シートとの関係は?

A: 3C-N型シリコンカービッド基板は,上軸葉の成長のためのサポート層です.上軸葉は,化学蒸気堆積 (CVD) によって基板表面に成長した単結晶SiCフィルムです.そのドーピングタイプ装置の設計要件に従って,ドーピング濃度と厚さを正確に制御できます.基質の質は,表頭葉の成長品質と装置の性能に直接影響します..

 

 

タグ: #シリコンカービッド基板, #C-N型SIC, #半導体材料

 

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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