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2N7002 Mosfet NチャネルSMD 60V 115MAの集積回路
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仕様
型式番号 :
2N7002
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
包装の細部 :
元
原産地 :
中国
評価される電圧 :
60.0 V
評価される流れ :
115 mA
評価される力 :
200 MW
極性 :
N-Channel
設置方法 :
表面の台紙
ピン ナンバー :
3
パッケージ :
SOT-23-3
記述

集積回路2N7002小さい信号のField-EffectのトランジスターMOSFET N-CH 60V 115MA

 

プロダクト 記述:

 

2N7002トランジスター、MOSFETのN-Channel、115 mA、60ボルト、1.2オーム、10ボルト、2.1ボルト

2N7002は高い細胞密度およびDMOSの技術を使用して作り出されるN-channelの強化モード電界効果トランジスタである。それはオン州の抵抗を間、提供の険しく、信頼できる速い転換の性能最小にする。それは400mA DCまで要求するほとんどの適用で使用し、2Aまで脈打った流れを提供できる。、小さいサーボ運動制御および力MOSFETのゲートの運転者のような低電圧、low-current適用のために適した。

極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）。

高い飽和電流の機能。

電圧管理された小さい信号スイッチ。

険しく、信頼できる

これらの、高い細胞密度専有作り出される、フェアチャイルドを使用してN-Channelの強化モード分野効果のtransistorsare DMOSの技術。これらのプロダクトはtominimizeオン州の抵抗の間を提供する険しく、信頼できる、速い転換の性能を設計されていた。それらは2Aまで400mA DCまで要求するmostapplicationsで使用することができ、deliverpulsed流れをできる。これらのプロダクトはsmallservoの運動制御のような低電圧、低い現在の適用、力MOSFETのゲートの運転者およびotherswitching適用のためにparticularlysuited。

科学技術変数:

 
評価される電圧（DC） 60.0 V
評価される流れ 115 mA
評価される力 200 MW
ピン ナンバー 3
下水管源の抵抗 1.2 Ω
北極 N-Channel
放蕩力 200 MW
境界の電圧 2.1 V
下水管源の電圧（Vds） 60ボルト
ゲート源の絶縁破壊電圧 ±20.0 V

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2N7002 Mosfet NチャネルSMD 60V 115MAの集積回路

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製品詳細
型式番号 :
2N7002
MOQ :
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支払の言葉 :
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供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
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元
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
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従業員数 :
50~100
認証レベル :
Verified Supplier
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