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FDMS6681Z 30V PチャネルMosfetのトランジスター21.1A 49A 8PQFN
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FDMS6681Z 30V PチャネルMosfetのトランジスター21.1A 49A 8PQFN
仕様
型式番号 :
FDMS6681Z
原産地 :
アメリカ
包装の細部 :
元のパッケージ
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
10000pcs/one月
受渡し時間 :
5-30days
タイプ :
Mosfet
適用 :
標準
製造者のタイプ :
元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他
利用できる媒体 :
データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する
ブランド :
Mosfet
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :
30ボルト
実用温度 :
-55 ℃~150 ℃
タイプの取付け :
表面の台紙
パッケージ/場合 :
パワー56 8、力56
流出させなさいに源の電圧（Vdss） :
30ボルト
要素の数 :
1
ピンの数 :
8
最高使用可能温度 :
150 °C
最高の電力損失 :
73 W
最低の実用温度 :
-55 °C
上昇時間 :
38 ns
Turn-Off遅れ時間 :
260 ns
チャネルの数 :
1
スケジュールB :
8541290080
記述

FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター

 

プロダクト 記述:

 

1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V、0.0027Ohm、-10V、-1.7V
2。FDMS6681ZはA-30VのP-channelのPowerTrench®のMOSFEts特に合ったオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するためにである
3.典型的な8kVのHBM ESDの保護レベル

 

科学技術変数:

 

下水管源の抵抗 0.0027ω
極性 P - チャネル
放蕩力 73 W
下水管源の電圧 30ボルト
上昇時間 38 ns
評価される力（最高） 2.5W
降下の時間 197 ns
実用温度 -55℃ | 150℃ （TJ）
ピン ナンバー 8
カプセル封入 テープ及び巻き枠（TR）

カスタマー サービス:

1. BOMのリストを支えるか。

当然、私達にBOMを提供する専門のチームがある。

2. 次示されている。MOQの後ろか。

私達のMOQは適用範囲が広く、あなたの必要性に従って最低10部分を、提供することができる。

3. 調達期間についての何か。

沈殿物を受け取った後、私達は商品を詰め、配達のための兵站学に連絡することを整理する。持続期間は3-7日である。

4. 私達の利点か。

1. 安定した、十分な供給

2. 競争価格

3. 豊富なBOMの経験

4. 完全な売り上げ後のサービス

5. 専門の検定証

5. 私達のサービスか。

支払方法:T/T、L/C、D/P、D/A、MoneyGramの、ウェスタン・ユニオンpaypalのクレジット カード現金、条件付捺印証書、Alipay…

6. 交通機関:

DHL、TNT、Federal Express、EMS、DEPXの空気、海の船積み

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FDMS6681Z 30V PチャネルMosfetのトランジスター21.1A 49A 8PQFN

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製品詳細
型式番号 :
FDMS6681Z
原産地 :
アメリカ
包装の細部 :
元のパッケージ
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
10000pcs/one月
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
, ,
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Verified Supplier
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