NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel
製品の説明:
1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET
2. P-channel 20V 9A (Ta)の840mW (Ta)表面の台紙8-wdfn (3.3x3.3)
3. TRANS MOSFET P-CH 20V 22A 8 Pin WDFN EP T/R
4.部品-20V、- 15A、6.7mのPチャネル力MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG
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時間の条件:
引用語句の時間: < 1mins="">
< 3mins="">
受渡し時間: < 24="" hrs="">
< 48="" hrs="">
< 72="" hrs="">
PCBの時間: < 72="" hrs="">
< 7="" days="">
PCBAの時間: < 5="" days="">
*上記のデータはアイドル時間の正常な材料にだけ適当である。
科学技術変数:
FETのタイプ |
P-Channel |
技術 |
MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) |
20ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C |
9A (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) |
2.5V、4.5V |
(最高) @ ID、VgsのRds |
6.7mOhm @ 12A、4.5V |
Vgs ((最高) Th) @ ID |
1V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs |
56 NC @ 4.5ボルト |
Vgs (最高) |
±8V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds |
5000 pF @ 10ボルト |
電力損失(最高) |
840mW (Ta) |
実用温度 |
-55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け |
表面の台紙 |
製造者装置パッケージ |
8-WDFN (3.3x3.3) |
基礎プロダクト数 |
NTTFS3 |
プロダクト映像:

品質保証
1.Every工程に質を保障するためにテストするべき特別な人がある
質を点検する2.Have専門エンジニア
3.Allプロダクトはセリウム、FCC、ROHSおよび他の証明を渡した