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高い発電MosのトランジスターICはFDPC5018SGの電子部品を欠く
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仕様
型式番号 :
FDPC5018SG
原産地 :
アメリカ
包装の細部 :
元のパッケージ
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
100000pcs 1か月
受渡し時間 :
1~30days
タイプ :
Mosfet
D/C :
2021年
パッケージのタイプ :
QFN
製造者のタイプ :
元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他
利用できる媒体 :
データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する
ブランド :
Mosfet
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :
30ボルト
実用温度 :
-55 ℃~150 ℃
タイプの取付け :
表面の台紙
パッケージ/場合 :
QFN、QFN
流出させなさいに源の電圧（Vdss） :
30ボルト
要素の数 :
1
ピンの数 :
8
最高使用可能温度 :
150 °C
要素構成 :
シングル
最低の実用温度 :
-55 °C
入れられたキャパシタンス :
1.715 nF
最高のRds :
5 mΩ
チャネルの数 :
1
RoHS :
迎合的
記述

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター

 

 

プロダクト概観

MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1W表面の台紙力クリップ56
MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
TRANS MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8 Pin PQFN EP T/R

 

Bomサービス

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3. あなたの費用を除けば
より多くのより安い価格
より少ない発送料
すべてのお金を除けば使う必要はない

4. 少数の品質の問題
より滑らかなコミュニケーション
不適当な組み合わせの減少
擬似および劣った断りなさい

位置の数 8
源の抵抗に流出させなさい（） （Rds） 0.0014 Ω
電力損失 29 W
境界の電圧 1.6 V
流出させなさいに源の電圧（Vds） 30ボルト
実用温度（最高） 150 ℃
実用温度（分） -55 ℃
ピンの数 8
場合/パッケージ QFN
プロダクト ライフサイクルの状態 Digiキーで中断される
包装 テープ及び巻き枠（TR）
ブランド

高い発電MosのトランジスターICはFDPC5018SGの電子部品を欠く高い発電MosのトランジスターICはFDPC5018SGの電子部品を欠く

  • FAQ

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2. BOMのリストを支えるか。

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3. MOQか。

1つのPCS/単位

 

4. 調達期間か。
支払の後の1-5日一般に。


5。私達の強さか。
1.部品の安定した、豊富な供給、2.競争価格、3.豊富な経験、4.ベスト サービス。


6。私達のサービスか。
支払の言葉:T/T、L/C、D/P、D/A、MoneyGramのクレジット カード、PayPal、ウェスタン・ユニオンの現金、条件付捺印証書、Alipay…

船積み:DHL、TNT、Federal Express、EMS、DEPXの空気、海の船積み…

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元のパッケージ
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Shenzhen Res Electronics Limited

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4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
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従業員数 :
50~100
認証レベル :
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