仕様
型式番号 :
NTTFS3A08PZTAG
原産地 :
アメリカ
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
10000pcs/one月
受渡し時間 :
3~10日
包装の細部 :
元のパッケージ
タイプ :
Mosfet
D/C :
標準
パッケージのタイプ :
WDFN-8
適用 :
標準
製造者のタイプ :
元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他
利用できる媒体 :
データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する
ブランド :
Mosfet
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) :
20ボルト
実用温度 :
-55 ℃~150 ℃
タイプの取付け :
表面の台紙
パッケージ/場合 :
WDFN-8、WDFN-8
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :
20ボルト
要素の数 :
1
ピンの数 :
8
最高使用可能温度 :
150 °C
要素構成 :
シングル
最低の実用温度 :
-55 °C
上昇時間 :
56 ns
最高のRds :
6.7 mΩ
チャネルの数 :
1
RoHS :
迎合的
記述

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel

 

製品の説明:

1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET

2. P-channel 20V 9A (Ta)の840mW (Ta)表面の台紙8-wdfn (3.3x3.3)

3. TRANS MOSFET P-CH 20V 22A 8 Pin WDFN EP T/R

4. 部品-20V、- 15A、6.7mのPチャネル力MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG

 

 

品質保証:
1. あらゆる工程に質を保障するためにテストするべき特別な人がある
2. 質を点検する専門エンジニアを持ちなさい
3. すべてのプロダクトはセリウム、FCC、ROHSおよび他の証明を渡した

 

 

科学技術変数:

FETのタイプ P-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 20ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 9A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 2.5V、4.5V
(最高) @ ID、VgsのRds 6.7mOhm @ 12A、4.5V
Vgs ((最高) Th) @ ID 1V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 56 NC @ 4.5ボルト
Vgs (最高) ±8V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 5000 pF @ 10ボルト
電力損失(最高) 840mW (Ta)
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ 8-WDFN (3.3x3.3)
基礎プロダクト数 NTTFS3

 

プロダクト映像:

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターIC破片のFETs単一Pチャネル力Mosfet 20V 9A 8WDFN

品質保証:

1. あらゆる工程に質を保障するためにテストするべき特別な人がある

2. 質を点検する専門エンジニアを持ちなさい

3. すべてのプロダクトはセリウム、FCC、ROHSおよび他の証明を渡した

 

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NTTFS3A08PZTAGのトランジスターIC破片のFETs単一Pチャネル力Mosfet 20V 9A 8WDFN

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4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
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従業員数 :
50~100
認証レベル :
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