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RoHSのトランジスターICは50A 40V 10.1 MOHM P CH MOSFET FDD4141を欠く
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仕様
型式番号 :
FDD4141
原産地 :
中国
供給の能力 :
10000の部分/部分每の 月
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
受渡し時間 :
1~7working
包装の細部 :
元
タイプ :
Mosfet
D/C :
新しい
パッケージのタイプ :
表面の台紙
適用 :
一般目的
製造者のタイプ :
元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他
ブランド :
FDD4141
実用温度 :
-55℃ | 150℃ （TJ）
パッケージ/場合 :
TO-252-3
流出させなさいに源の電圧（Vdss） :
40ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :
10.8のA
極性 :
P-Channel
上昇の時 :
7 ns
降下の時 :
15 ns
放蕩力 :
2.4 W
ステッチの計算 :
3
パッキングの方法 :
テープ及び巻き枠（TR）
RoHSの標準 :
迎合的なRoHS
鉛の標準 :
無鉛
記述

MOSFETのトランジスターPチャネル-50A -40V 10.1 MOHM MOSの管FDD4141

プロダクト 記述:

1. FDD4141は-40VのP-channelのPowerTrench® MOSFET特に合ったオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するためにである。
2. PowerTrench®新しいMOSFETの柔らかいボディ ダイオードの性能は同期改正の望ましくない電圧スパイクを最小にすることができるので揺れ止め回路を除去するか、またはより高い電圧評価- MOSFETの必要性回路取り替えられる。
3。このプロダクトは多くの異なった適用のために一般的な使用法そして適している。

科学技術変数:

型式番号 FDD4141
極性 P-Channel
上昇の時 15 ns
放蕩力 2.4w
ステッチの計算 3
カプセル封入 TO-252-3
実用温度 -55℃ | 150℃ （TJ）
パッキングの方法 テープ及び巻き枠（TR）
RoHSの標準 迎合的なRoHS
鉛の標準 無鉛

品質保証:
1.Every工程に質を保障するためにテストするべき特別な人がある
質を点検する2.Have専門エンジニア
すべてのプロダクトはセリウム、FCC、ROHSおよび他の証明を渡した

会社の利点:
シンセンRuizhixindaの電子工学Co.、株式会社。
電子部品の卸し売り代理店の経験の十年の会社はある、
私達にさまざまな部品のブランドのおよび工場協同省庁の力がある。
広範で、完全な電子部品の保管倉庫、
まれで、まれで、独特な、今普及した部品を含んで。
100%の元及び新製品のための目録。
誰でも必要としたら、私達に連絡しなさい。
私達は完全な、良質プロダクトを提供する。

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RoHSのトランジスターICは50A 40V 10.1 MOHM P CH MOSFET FDD4141を欠く

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製品詳細
型式番号 :
FDD4141
原産地 :
中国
供給の能力 :
10000の部分/部分每の 月
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
, ,
従業員数 :
50~100
認証レベル :
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