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200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出
200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出
仕様
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
1000-2000のPCS
包装の細部 :
囲まれる
受渡し時間 :
1 - 2週
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :
MMBD1501A
タイプ :
切換えDIODESOD
特徴 :
低い漏出
力mosfetのトランジスター :
SOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込める
DCの妨害電圧 :
200v
プロダクトID :
MMBD1501A
電力損失 :
350mW
記述

MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込める


 

特徴
 
の低い漏出
の高い導電率

印:A11

200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

 

 

 

 

最高の評価（通知がなければTa=25℃）
200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

 
 
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
 

 200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出
 


 
 
 
典型的なCharacterisitics
   
 
200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出



 
 
 
 
 
 
パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  分 最高 分 最高
0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950のタイプ 0.037のタイプ
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0° 8° 0° 8°

 

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製品詳細
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
1000-2000のPCS
包装の細部 :
囲まれる
受渡し時間 :
1 - 2週
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 年数
shenzhen
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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認証レベル :
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