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電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター
電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター
仕様
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
1000-2000のPCS
包装の細部 :
囲まれる
受渡し時間 :
1 - 2週
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :
2N5401
VCBO :
-160V
VCEO :
-150V
VEBO :
-5V
使用法 :
電子部品
Tj :
150Š
場合 :
テープ/皿/巻き枠
記述

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を

 

 

特徴
 

 

高圧のŸの切換えそして拡大

電話のようなŸの適用

Ÿの低い流れ

Ÿの高圧

 

 

電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
2N5401 TO-92 大きさ 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 テープ 2000pcs/Box

 

 

 

 

最高の評価（通知がなければTa =25 Š）

 

記号 変数 価値 単位
VCBO Collector-Base電圧 -160 V
VCEO Collector-Emitter電圧 -150 V
VEBO Emitter-Base電圧 -5 V
IC コレクター流れ -0.6
PC コレクターの電力損失 625 MW
R0 JA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 200 Š/W
Tj 接合部温度 150 Š
Tstg 保管温度 -55~+150 Š

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

 

 

変数 記号 テスト条件 分 タイプ 最高 単位
Collector-baseの絶縁破壊電圧 V （BR） CBO IC = -0.1MA、IE =0 -160     V
Collector-emitterの絶縁破壊電圧 V （BR） CEO IC =-1MA、IB =0 -150     V
Emitter-base絶縁破壊電圧 V （BR） EBO IE =-0.01MA、IC =0 -5     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB =-120V、IE =0     -50 nA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB =-3V、IC =0     -50 nA

 

DCの現在の利益

 hFE （1） VCE =-5V、IC =-1MA 80      
hFE （2） VCE =-5V、IC =-10MA 100   300  
hFE （3） VCE =-5V、IC =-50MA 50      
Collector-emitterの飽和電圧 VCE （坐った） IC =-50MA、IB =-5MA     -0.5 V
Base-emitterの飽和電圧 VBE （坐った） IC =-50MA、IB =-5MA     -1 V
転移の頻度 fT VCE =-5V、IC =-10mA、f =30MHz 100   300 MHz

 
  

hFE （2）の分類

ランク B C
範囲 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

典型的な特徴

 

 


電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター 

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パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  分 最高 分 最高
3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270タイプ 0.050のタイプ
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
0   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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認証レベル :
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