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600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ
600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ
仕様
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
1000-2000のPCS
包装の細部 :
囲まれる
受渡し時間 :
1 - 2週
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :
A42
Collector-Base電圧 :
310V
Emitter-Base電圧 :
5V
Tstg :
-55~+150℃
材料 :
ケイ素
コレクター流れ :
600 mA
記述

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めるトランジスターA42トランジスター（NPN）を

 

 

特徴
 

低いCollector-Emitterの飽和電圧

高い絶縁破壊電圧

 

印:D965A

 

 

 

最高の評価（通知がなければTa=25℃）
 

記号 変数 価値 単位
VCBO Collector-Base電圧 310 V
VCEO Collector-Emitter電圧 305 V
VEBO Emitter-Base電圧 5 V
IC 連続的なコレクター流れ- 200 mA
ICM 脈打つコレクター流れ- 500 mA
PC コレクターの電力損失 500 MW
RθJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 250 ℃/W
TJ 接合部温度 150 ℃
Tstg 保管温度 -55~+150 ℃

 
 
 
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
 

変数 記号 テスト条件 分 タイプ 最高 単位
Collector-baseの絶縁破壊電圧 V （BR） CBO IC =100ΜA、IE =0 310     V
Collector-emitterの絶縁破壊電圧 V （BR） CEO IC =1MA、IB =0 305     V
Emitter-base絶縁破壊電圧 V （BR） EBO IE =100ΜA、IC =0 5     V

 

コレクタ遮断電流

 ICBO VCB =200V、IE =0     0.25 µA
 

 

ICEX

 VCE =100V、VX =5V     5 µA
    VCE =300V、VX =5V     10 µA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB =5V、IC =0     0.1 µA

 

DCの現在の利益

 hFE （1） VCE =10V、IC =1MA 60      
  hFE （2） VCE =10V、IC =10MA 100   300  
  hFE （3） VCE =10V、IC =30MA 75      
Collector-emitterの飽和電圧 VCE （坐った） IC =20MA、IB =2MA     0.2 V
Base-emitterの飽和電圧 VBE （坐った） IC =20MA、IB =2MA     0.9 V
転移の頻度 fT VCE=20V、IC=10mA、f=30MHz 50     MHz

 

 

 
 

 典型的な特徴

 

600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ

600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ

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パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  分 最高 分 最高
1.400 1.600 0.055 0.063
b 0.320 0.520 0.013 0.020
b1 0.400 0.580 0.016 0.023
c 0.350 0.440 0.014 0.017
D 4.400 4.600 0.173 0.181
D1 1.550参考。 0.061参考。
E 2.300 2.600 0.091 0.102
E1 3.940 4.250 0.155 0.167
e 1.500タイプ。 0.060のタイプ。
e1 3.000タイプ。 0.118のタイプ。
L 0.900 1.200 0.035 0.047

 
 
600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ
 

 

SOT-89-3Lはパッドのレイアウトを提案した

 

600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ
 
 
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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5 年数
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事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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認証レベル :
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