SiC インゴット成長炉 PVT HTCVD LPE シングルクリスタル SiC ブール成長炉 6インチ 8インチ SiC ウェーファー製品

SiCインゴット成長炉の抽象

についてSiCインゴット成長炉高効率の成長のために設計された先進的なシステムですシングルクリスタルシシブール製造に使用される6インチそして8インチサイクソーラーパネル植物栽培の様々な方法を利用し,PVT (物理蒸気輸送),高温化学蒸気沈没 (HTCVD)そしてLPE (液体相エピタキシ)この炉は,熱の形成のための最適な条件を保証します.高純度で欠陥が少ないSiCリンゴ.
 

温度,圧力,真空の精密な制御により,SiCインゴット成長炉安定してスケーラブルなSiC ブールの成長次の世代の需要を満たす半導体用途電気自動車 (EV),再生可能エネルギー,高電力電子機器など調整可能な設計により,製造者は様々な生産スケールと結晶仕様に適応し,一貫したインゴット品質と出力を確保できます..
 

SiC インゴットの成長 炉のデータ
 

成長理論

1PVT (物理蒸気輸送) 方法 成長原理

についてPVT 方法,シリコンカービード (SiC)水晶が成長するサブリマとコンデンサ高温で (2000~2500°C)SiC粉末この物質は真空または低圧環境内で高揚 (固体から蒸気へと変化) します.SiC蒸気制御された輸送機関を通過します温度グラデーションそして種子結晶の堆積物その場所凝縮し,成長する単一の結晶にシ・シ・ブール.
 

• 主要 な 特徴:
  • 蒸気相輸送による結晶成長
     
  • 温度グラデーションと圧力の正確な制御が必要です
     
  • 製造に使用される単結晶のSiCブール (SiC Boules)ウェーファー切断用

2耐熱 成長支援原理

中へ抵抗熱電流が電池を通過する抵抗式暖房要素成長室の温度を上昇させる熱を生成し,SiC ソース 材料この加熱方法は,高温と安定した温度を維持するために使用されます.PVT プロセス.
 

• 主要 な 特徴:
  • 間接的な加熱方法:熱をヒーターからピグブルに転送する.
  • 提供する均一で制御された加熱.
  • 適している中規模生産安定したエネルギー消費で

SiC インゴット 成長 オーブンの写真
 

シリコン酸溶液の結果
 

ZMSHではシ・C・ブール製造されたものですSiCインゴット成長炉両方において重要な利点を提供しています結晶品質そしてプロセス互換性厳格な要求に完全に応えるように半導体製造.
 

主要 な 利点:

• 高水晶純度:我々のSiCブールは 厳格に制御された条件で育てられ 卓越した純度と最小限の汚染を達成します 高性能半導体装置にとって重要です
   

• 欠陥密度が低い成長中の温度,真空,圧力の正確な制御により,私たちのSiC Boules低流動密度電気性能と装置の出力を保証します
   

• 均一な結晶構造円盤全体に一貫した結晶性があり,効率的な切断と均質な厚さと材料の質.
   

• 半導体プロセスと完全に互換性がある工業標準に準拠するように設計されていますウェッファーリング,ポーリング,エピタキシャル成長流程を安定させ,下流にシームレスな統合を保証する装置の製造ワークフロー
   

• 6インチと8インチワッフルのスケーラブル生産: 大量生産に適している6インチと8インチのSiCウエーフパワーエレクトロニクス,EV,高周波アプリケーションの市場の需要を満たす

私たちのサービス
 

アットZMSH提供しますパーソナライズできるサービス顧客の様々なニーズを満たすためにSiC ブール生産設備の構成から プロセスサポートまで すべてのソリューションが 生産目標と技術要件に 完璧に合致することを保証します
 

提供 する もの:

• パーソナライズされた機器設計パーソナライズしていますシ・シー・ブール 成長炉仕様 (クリスタルサイズ (6インチ,8インチ,またはカスタム),加熱方法 (インダクション/抵抗),制御システムを含む) あなたの特定の生産ニーズに合わせて.
   

• プロセスのパラメータのカスタマイズ理想の結晶品質に基づいて,安定して効率的な成長を保証します.シ・C・ブール.
   

• 敷地内設置と運用専門家のチームは敷地内設置装置が第一日から最高性能で動作することを保証します
   

• 顧客訓練: 私たちは包括的な提供技術訓練信頼性と効率の良い使用を保証するために 炉の操作,保守,故障解決をカバーする スタッフのために
   

• 販売後サポート: ZMSHは長期的に提供しています販売後サービス遠隔支援,定期的なメンテナンスのほか,停止時間を最小限に抑えるための迅速な対応の修理サービスを含む.