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2インチ 3インチ INPレーザー エピタキシアル・ウェーファー インディウム・リン酸エピ・ウェーファー 半導体 カスタマイズ FPレーザーダイオード
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仕様
記述

 

2インチ 3インチ INPレーザー エピタキシアル・ウェーファー インディウム・フォスフィード エピ・ウェーファー 半導体 カスタマイズ FPレーザーダイオード

InPレーザー エピタキシアル・ウェーバーの説明:

インディアム・リン酸 (InP) は,データセンター,モバイルバックハール,地下鉄,長距離アプリケーションに必要なパフォーマンスを提供する光学システムを可能にする重要な半導体材料です.グラスファイバーの最適な伝送窓で動作する.効率的なファイバー通信を可能にします.

InPレーザーエピタキシアルウエファー (InP laser epitaxial wafer) は,特殊な半導体基板で,インディアム・フォスフィード (InP) のウエファーで培養された様々な材料の複数の層で構成される..この追加の層は レーザー用途に適した構造を作るため 慎重に設計されています

InPレーザーエピタキシアルウェーバーは,エッジ発光レーザーと垂直空洞表面発光レーザー (VCSEL) を含む半導体レーザーの製造における重要な部品です.エピタキシアル層は,効率的な光放出と増幅を可能にするために,特定の光学および電気的特性で設計されていますレーザー技術を必要とする通信,センサー,および他のアプリケーションのための様々な光電子機器において不可欠です.

InPレーザー エピタキシアル・ウェーバーの特徴:

光学特性:
放射波長:赤外線スペクトルにおける調節可能な放射波長.
高量子効率:効率的な光放出と増幅特性.
低吸収系数:材料内の光学損失が低いことを可能にする.
構造特性:
層状エピタキシアル構造: InP基板に育った異なる半導体材料の複数の層で構成される.
滑らかな表面: レーザーの性能に不可欠な均質で欠陥のない表面.
制御された厚さ:各層の厚さは,特定の光学および電気特性のために正確に制御されます.
電気特性:
輸送機移動性:効率的な貨物輸送のために高い輸送機移動性.
低欠陥密度: 高い電子性能のために,水晶の欠陥が少ない.
P-N 交差点形成:レーザー操作のための p-n 交差点を形成する能力.
熱特性:
高熱伝導性:レーザー操作中に発生する熱を効率的に散布する.
熱安定性: 異なる運用条件下で構造の整合性を維持する.
製造可能性:
互換性: 標準的な半導体製造プロセスと互換性がある.
一致性:大量生産のためのウエファー全体で一貫した特性
パーソナライズ可能性: 特定のレーザーアプリケーション向けに設計された角軸設計.

インプレーザー エピタキシャル・ウェーバーの形:

製品パラメータ DFB上位軸のウエフラー 高功率DFB エピタキシアル・ウェーファー シリコンフォトニクス エピタキシアル・ウェーファー
税率 10G/25G/50G / /
波長 1310nm
サイズ 2 / 3 インチ
製品の特徴 CWDM 4/PAM 4 BH技術 PQ/AlQ DFB
PL 波長制御 3nmより良い
lPL 波長均一性 1nm @inner より STD.Dev より良い
厚さ制御 42mm +3%より良い
厚さの均一性 +3% @inner 42mm より良い
ドーピング対策 +10%以上
P-lnPドーピング (cm-3) Znドーピング 5e17から2e18
N-InPドーピング (cm-3) Siドーピング 5e17〜3e18

InPレーザーエピタキシアル・ウェーバーの写真:

2インチ 3インチ INPレーザー エピタキシアル・ウェーファー インディウム・リン酸エピ・ウェーファー 半導体 カスタマイズ FPレーザーダイオード2インチ 3インチ INPレーザー エピタキシアル・ウェーファー インディウム・リン酸エピ・ウェーファー 半導体 カスタマイズ FPレーザーダイオード

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

InPレーザーエピタキシャル・ウェーフのEPl層デフォルト構造:

 

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インプレーザー エピタキシャル・ウェーフの適用:

レーザーダイオード: エッジ発射レーザーとVCSELに適しています.
電気通信: 光通信システムにとって不可欠です
センサーとイメージング: 光センサーとイメージングアプリケーションで使用されます.
医療機器:医療用レーザーシステムで使用される.

InP レーザー エピタキシアル ウェーバーの応用図:

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FAQ:

1Q:エピタキシアル・ウェーバーとは?
A:エピタキシアル・ウェーファー (epitaxial wafer,epia wafer,or epiwafer) は,光子,マイクロ電子,スピントロニクス,光電池.

2Q:InPの利点は?
A:InPの特異的な利点:高い電子移動性:InPはシリコンより10倍近く高い電子移動性を示します.通信やレーダーシステムにおける高速トランジスタとアンプに最適化.

製品推奨:

1.8インチ GaN-on-Si エピタキシシシ基板 110 111 110 MOCVD反応器またはRFエネルギーアプリケーションのために

 

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2. InP ウェーファー 2インチ 3インチ 4インチ VGF Pタイプ Nタイプ Depant Zn S Fe 未使用プライムグレード テストグレード

 

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キーワード:インプレーザー エピタキシアル・ウェーフインピ

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