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厚い650um 4インチの単結晶INP半導体の基質
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仕様
型式番号 :
INP
原産地 :
中国
MOQ :
3PCS
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500pcs
受渡し時間 :
2-4weeks
包装の細部 :
1000等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
材料 :
INP
成長方法 :
vFG
サイズ :
2~ 4インチ
厚さ :
350-650um
適用 :
III-Vの直接bandgapの半導体材料
表面 :
ssp/dsp
パッケージ :
単一のウエファー箱
記述

2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されるS+/Zn+ /Fe +

 

成長（変更されたVFG方法）が種から始まってencapsulantホウ素の酸化物の液体を通して単結晶を引っ張るのに使用されている。

添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられる。高圧は部屋の中でインジウムPhosphide.heの会社の分解を防ぐために開発した十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを適用される。

VFGの技術は数に関連して熱バッフルの技術のおかげでLEC方法に改良する

熱成長の状態の模倣。tCZはbouleからのbouleへ良質の再現性の費用効果が大きい成長した技術である。

 

適用:
IItに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路のために適した。

 

特徴:
1。水晶は成長した技術および安定した電気性能の液体密封されたまっすぐデッサンの技術（LEC）によって、育つ。
精密なオリエンテーションのためのX線の方向器械を使用して2つは、水晶オリエンテーションの偏差±0.5°だけである
3つは化学機械磨く（CMP）技術によって、ウエファー、表面の粗さ4 <0> 、「開いた箱使用可能な」の条件を達成するために磨かれる
5、ユーザーの要求に従って、特別な指定プロダクト処理

 

厚い650um 4インチの単結晶INP半導体の基質

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サイズ（mm） Dia50.8x0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mmはカスタマイズすることができる
RA 表面の粗さ（RA）:<>
光沢 単一または倍磨かれる味方しなさい
パッケージ 1000年のクリーン ルームのポリ袋をきれいにする100等級

 

厚い650um 4インチの単結晶INP半導体の基質厚い650um 4インチの単結晶INP半導体の基質

---FAQ –

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。

:zmkjは商事会社ですが、サファイアの製造業者がある
 適用の広いスパンのための半導体材料のウエファーの製造者として。

Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。

:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である

在庫では、それは量に従ってある。

Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。

:はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。

Q:あなたの支払い条件は何であるか。

:Payment=1000USD<>、
先立って50% T/T、郵送物の前のバランス。
別の質問があれば、plsは次として私達に連絡して自由に感じる:

このサプライヤーにメッセージを送信します
今 送れ

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製品詳細
型式番号 :
INP
原産地 :
中国
MOQ :
3PCS
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500pcs
受渡し時間 :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
Verified Supplier
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