MachineU > 中国製品 > 鉱物および冶金 > 非鉄金属 > インゴット > シリコンインゴット

仕様

型式番号 :

2インチINPウエファー

原産地 :

中国

MOQ :

3PCS

支払の言葉 :

T/T、ウェスタン・ユニオン

供給の能力 :

500PCS

受渡し時間 :

2weeks

包装の細部 :

100等級のクリーンルームの単一のウエファーの容器のパッケージ

材料 :

INP水晶

成長方法 :

vFG

サイズ :

2inch/3inch/4インチ

厚さ :

350-650um

適用 :

LED/LD装置

表面 :

ssp/dsp

パッケージ :

単一のウエファーの容器

添加される :

S/Zn/Feかun-doped

TTV :

<10um>

弓 :

<10um>

記述

2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されるS+/Zn+ /Fe +

成長（変更されたVFG方法）が種から始まってencapsulantホウ素の酸化物の液体を通して単結晶を引っ張るのに使用されている。

添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられる。高圧は部屋の中でインジウムPhosphide.heの会社の分解を防ぐために開発した十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを適用される。

VFGの技術は数に関連して熱バッフルの技術のおかげでLEC方法に改良する

熱成長の状態の模倣。tCZはbouleからのbouleへ良質の再現性の費用効果が大きい成長した技術である。

特徴:
1。水晶は成長した技術および安定した電気性能の液体密封されたまっすぐデッサンの技術（LEC）によって、育つ。

精密なオリエンテーションのためのX線の方向器械を使用して2つは、水晶オリエンテーションの偏差±0.5°だけである

3つは化学機械磨く（CMP）技術によって、ウエファー、表面の粗さ磨かれる <0>

4、「開いた箱使用可能な」の条件を達成するため

5、ユーザーの要求に従って、特別な指定プロダクト処理

適用:
IItに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路のために適した。

3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質

2inch S-C-N/SはINPウエファーを添加した

3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質

2inch S-C-N/Fe+はINPウエファーを添加した

3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質

---FAQ –

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。

:zmkjは商事会社ですが、サファイアの製造業者がある
適用の広いスパンのための半導体材料のウエファーの製造者として。

Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。

:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である

在庫では、それは量に従ってある。

Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。

:はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。

Q:あなたの支払い条件は何であるか。

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3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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7 年数

shanghai, shanghai

ありがとうございました 2013

事業形態 :

Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company

主な製品 :

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年間総額 :

1000000-1500000

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