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SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード
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SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード
仕様
モデル番号 :
SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード
産地 :
中国
支払条件 :
T/T
配達時間 :
2〜4週間
材料 :
SIC
直径 :
2/3/4/6/8インチ
タイプ :
3C 4H-N 4H-SI 6H-N 6H-SI HPSI
ポリス :
DSP/SSP
記述

 

SiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード

 

1抽象的な

 

私たちのSiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー研究グレード高品質のシリコンカービッド基板を供給し,最先端の半導体研究開発を容易にする.

 

 

2製品と会社の説明

 

2.1 製品説明:

私たちのSiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー研究グレード研究室の厳格な基準を満たすように設計されています

  • 高断熱電圧: SiC基質は,シリコンと比較して,かなり高い分解電圧を持つ装置の製造を可能にします.

  • 熱安定性: SiCは性能低下なしに高温 (最大600°C) で動作できます.これは半導体装置が極端な条件下で信頼性のある動作を可能にします.自動車産業や航空宇宙産業の用途には不可欠です.

  • 効率 を 向上 する: SiC基質は半導体装置における低オン抵抗と高速スイッチ速度に貢献する.これは,エネルギー損失を削減し,電力変換システムの全体的な効率を向上させます..

  • サイズ と 重さ が 減っ た: SiCデバイスは,より高い電源密度に対応する能力があるため,シリコンデバイスよりも小さく軽くなります.これは,空間と重量が重要なアプリケーションでは特に有利です電気自動車や携帯電子機器など

 

2.2 会社の説明:

私たちの会社 (ZMSH)サファイアフィールドを中心に10年以上専門的な工場と販売チームです. 我々は豊富な経験を持っていますカスタマイズされた製品オーダーメイドデザインも承担し,OEMもできます.ZMSH価格と品質の両方を考慮して最高の選択になります手を差し伸べてください!

 

 

3申請について

 

研究開発プロジェクトの可能性を私たちのSiC基板 2/3/4/6/8インチ HPSI生産 ダミー研究グレード特別に先進的な半導体アプリケーションのために設計された 研究グレードの基板は 卓越した品質と信頼性を 提供しています

  • レーザー:SiC基板は,UV光と青い光領域で効率的に動作する高性能レーザー二極管の製造を可能にします.優れた熱伝導性と耐久性により,極端な条件下で信頼性の高い性能を必要とするアプリケーションに最適です.
  • 消費電子機器:SiC基板は,より効率的な電源変換とバッテリー寿命の延長を可能にする電力管理ICを強化します. また,高速充電ソリューションも促進します.高性能を維持しながら,小さく軽い充電器を可能にします.
  • 電気自動車の搭載電池: SiC基板はエネルギー効率を向上させ,走行距離を拡大しました.高速充電インフラストラクチャでの使用により,充電時間が速くなり,EVユーザーにとって便利になります.

SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード

 

4製品表示 - ZMSH

 

SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード

 

5. SiC基板の仕様

 

SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード

 

6よくある質問

 

6.1 A:SiC基質はどのサイズで手に入るのですか?

Q: SiC 基質は様々な種類で提供されています.2インチから6インチまでの直径です. 8インチを生産することができます. 他のカスタムサイズも,特定のアプリケーション要件に基づいて利用できます.

 

6.2 A:偽のウエーファーは何のためにあるの?

Q: 偽のウエーファーが主に試験や研究目的で使用され,活性装置の製造は必要ありません.

 

6.3 A:定番仕様を 提供できますか?

Q: 私たちは,あなたの特定の研究ニーズに基づいてカスタム注文を議論することができます. 詳細については,私たちと連絡してください.

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SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード

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製品詳細
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SiC基板 2/3/4/6/8 インチ HPSI生産 ダミー 研究グレード
産地 :
中国
支払条件 :
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材料 :
SIC
直径 :
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