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ジルコン正方晶レーザー結晶 914nm ND Yvo4 結晶の目に見えない散乱
ジルコン正方晶レーザー結晶 914nm ND Yvo4 結晶の目に見えない散乱
仕様
モデル番号 :
Nd:YVO4
原産地 :
中国、武漢
最小注文数量 :
1個
支払い条件 :
T/T、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給能力 :
50000個/月
納期 :
応相談
パッケージの詳細 :
安心・無塵梱包
商品名 :
レーザー結晶 Nd:YVO4
特徴 :
ダイオードレーザー励起固体レーザー用の最も効率的なレーザーホスト結晶
晶族 :
正の一軸
ダイオード励起光から光への効率 :
>60%
Ndドーパントレベル :
0.1～5.0atm%
Mohsの硬度 :
5
記述

レーザー結晶 Nd:YVO4

概要：

Nd:YVO4結晶は、ダイオードレーザー励起固体レーザー用に現在存在する最も効率的なレーザーホスト結晶の1つです。Nd:YVO4 は、レーザー発振波長での大きな誘導放出断面積、ポンプ波長での高い吸収係数と広い吸収帯域幅、高いレーザー誘起損傷閾値、優れた物理的、光学的、機械的特性により、高出力、安定性、および費用対効果の高いダイオード励起固体レーザー。

Nd:YVO4 の一般仕様:

Ndドーパントレベル 0.1～5.0atm%
散乱 目に見えない、He-Ne レーザーでプローブ
方向公差 ±0.5度
寸法公差 ±0.1mm
表面品質 10/5 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ >90%
表面の平坦度 <λ/10@633nm
波面歪み <λ/8@633nm
並列処理 <10秒角
端面構成 プラノ/プラノ
固有損失 < 0.1%cm-1
コーティング AR1064&HT808: R<0.1%@1064nm, R<5%@808nm
HR1064&HT808&HR532: R>99.8%@1064nm、R<5%@808nm、r="">99%@532nm
AR1064: R<0.1%@1064nm

Nd:YVO4の物性:

原子密度 ~1.37x1020原子/cm3
結晶構造 ジルコン正方晶、空間群 D4h
a=b=7.12、c=6.29
密度 4.22g/cm3
モース硬度 ガラス状、～5
熱膨張係数 a=4.43×10-6/K, c=11.37x10-6/K

Nd:YVO4 の光学特性(通常、1.1 atm% Nd:YVO4、a カット結晶の場合)

発振波長 914nm、1064nm、1342nm
熱光学係数 dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K
誘導放出断面積 25.0×10-19cm2@1064nm
蛍光寿命 90us @808nm (2atm% Nd ドープで 50us @808nm)
吸収係数 31.4cm-1@808nm
吸収長 0.32mm @808nm
固有損失 0.1%cm未満-1@1064nm
ゲイン帯域幅 0.96nm (257GHz) @1064nm
偏光レーザー発光 p 偏光、光軸 (c 軸) に平行
ダイオード励起光から光への効率 >60%
クリスタルクラス 正の一軸、no=na=nb、ne=nc、
no=1.9573, ne=2.1652, @1064nm
no=1.9721, ne=2.1858, @808nm
no=2.0210, ne=2.2560, @532nm
セルマイヤーの式 (純粋な YVO4 結晶の場合、λ は um) 番号2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2ねえ2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2

レーザー特性 (Nd:YVO4 VS Nd:YAG):

レーザークリスタル Ndドープ σ α τ ラ P番目 η
(atm%) (×10-19cm2) （cm-1) （cm-1) （んん） (mW) ( %)
Nd:YVO4(aカット) 1.1 25 31.2 90 0.32 78 48.6
2 72.4 50 0.14
Nd:YVO4(cカット) 1.1 7 9.2 90 231 45.5
Nd:YAG 0.85 6 7.1 230 1.41 115 38.6

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Wuhan Star Optic Technology Co., Ltd

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wuhan
ありがとうございました 2017
事業形態 :
Manufacturer, Exporter, Seller
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
10~50
認証レベル :
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