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E-O クリスタル LiNbO3 周波数倍増 1064nm 位相変調器 Z カット X 面電極
E-O クリスタル LiNbO3 周波数倍増 1064nm 位相変調器 Z カット X 面電極
仕様
モデル番号 :
LiNbO3
原産地 :
中国、武漢
最小注文数量 :
1個
支払い条件 :
T/T、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給能力 :
50000個/月
納期 :
応相談
パッケージの詳細 :
安心・無塵梱包
商品名 :
E-O 結晶 LiNbO3
アプリケーション :
-Nd:YAG、Nd:YLF、Ti:Sapphire レーザー用スイッチ、
透明物の範囲 :
420-5200nm
結晶構造 :
三方、空間群 R3c
切る :
Zカット
Mohsの硬度 :
5
記述

EO結晶 LiNbO3

概要：

LiNbO3 結晶1μmを超える波長の周波数倍増、1064 nmで励起される光パラメトリック発振器（OPO）、および準位相整合（QPM）デバイスとして広く使用されています。電気光学係数と音響光学係数が大きいため、LiNbO3 結晶は、ポッケルセル、Nd:YAG、Nd:YLF、Ti:Sapphire レーザーの Q スイッチ、および位相変調器、導波路基板、表面に最も一般的に使用される材料です。音響波（SAW）ウェーハなど

光は z 軸方向に伝搬し、電極は x 面に適用されます

の一般仕様LiNbO3 結晶:

寸法公差 ±0.1mm
角度公差 ±0.5度
表面品質 20/10 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ >90%
表面の平坦度 <λ/8@633nm
波面歪み <λ/4@633nm
並列処理 <20秒角
垂直性 <5分角
ARコーティング R<0.25%@中心波長
ダメージ閾値 >5J/cm2、20ns、20Hz、1064nm

LiNbO3 結晶の標準製品:

PN。 素材

寸法

（んん）

長さ

（んん）

 切る 端面 側面
LNO3315

LiNbO3

 3X3 15 Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極
LNO4415

LiNbO3

 4X4 15 Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極
LNO6625

LiNbO3

 6X6 25 Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極
LNO9925

LiNbO3

 9X9 25 Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極

物理的および光学的特性 の LiNbO3 結晶:

結晶構造 三角、空間群 R3c
セル パラメータ a = 0.515A、c = 13.863A、Z = 6A
融点 1255±5oハ
キュリーポイント 1140±5oハ
モース硬度 5
密度 4.64g/cm3
吸収係数 ~ 0.1%/cm@1064nm
溶解性 水に不溶
比誘電率 eT11/e0：85
eT33/e0：29.5
熱膨張係数(@25oハ） ||a、2.0 x 10-6/K
||c、2.2 x 10-6/K
熱伝導率 38 W/m/K @ 25oハ
透明度範囲 420-5200nm
光学均一性 〜5×10-5/cm
セルマイヤー方程式( λ in um) no2= 4.9048+0.11768/(λ2- 0.04750) - 0.027169λ2
ne2= 4.5820+0.099169/(λ2- 0.04443) - 0.021950λ2
NLO係数 d33= 34.4 午後/V
d31= 日15= 5.95 午後/V
d22= 3.07 午後/V
電気光学係数 gT33= 32 pm/V、gS33=午後31時/V
gT31= 午後 10 時/V、gS31= 8.6 午後/V
gT22= 6.8 pm/V、gS22= 3.4 午後/V
半波電圧、DC 電界 ||z、光 ⊥z 3.03 KV
電界 ||x または y、光 ||4.02KV
効率NLO係数 d効果=5.7pm/V または~14.6xd36(KDP) 周波数倍増 1300nm;
d効果=5.3pm/V または~13.6xd36(KDP) 1300nm でポンピングされた OPO の場合。
d効果=17.6pm/V または~45xd36(KDP) 準位相整合構造の場合。
ダメージ閾値 200MW/cm2

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Wuhan Star Optic Technology Co., Ltd

Verified Supplier
3 年数
wuhan
ありがとうございました 2017
事業形態 :
Manufacturer, Exporter, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
10~50
認証レベル :
Verified Supplier
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