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TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク
TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク
仕様
モデル番号 :
TC58BVG0S3HBAI4
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
不揮発性
記憶フォーマット :
フラッシュ
テクノロジー :
フラッシュ-否定論履積（SLC）
記憶容量 :
1Gbit
記憶構成 :
128M x 8
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
25ns
アクセス時間 :
25 ns
電圧 - 供給 :
2.7V~3.6V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
63-VFBGA
供給者のデバイスパッケージ :
63-TFBGA （9x11）
記述

製品詳細

85 oC,高波動性,汎用コンデンサ

TC型は,高波動電流定位を持つ軸性鉛,85 oC,長寿命1000時間の汎用アルミ電解コンデンサで,消費電子機器のアプリケーションに適しています..

ハイライト

• 一般目的
• 高波動 流れ
• 低プロフィール 装着

仕様

属性属性値
製造者トシバ半導体および貯蔵
製品カテゴリーメモリIC
シリーズベナンド
パッケージトレー
パッケージケース63-VFBGA
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ63-TFBGA (9x11)
記憶容量1G (128M x 8)
メモリタイプEEPROM - NAND
スピード25ns
フォーマットメモリEEPROM - シリアル

記述

FLASH - NAND (SLC) メモリIC 1Gb (128M x 8) パラレル 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND フラッシュ パラレル 3.3V 1Gビット
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク

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製品詳細
モデル番号 :
TC58BVG0S3HBAI4
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
連絡するサプライヤー
TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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