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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGAサイプレス半導体株式会社
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGAサイプレス半導体株式会社
仕様
モデル番号 :
CY7C1350G-133BGXC
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
揮発
記憶フォーマット :
SRAM
テクノロジー :
SRAM -、SDR同期
記憶容量 :
4.5Mbit
記憶構成 :
128K × 36
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
133のMHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
-
アクセス時間 :
4 ns
電圧 - 供給 :
3.135V | 3.6V
動作温度 :
0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
119-BGA
供給者のデバイスパッケージ :
119-PBGA (14x22)
記述

製品詳細

機能説明

CY7C1350Gは,3,3V,128 K × 36の同期パイプラインのバースト SRAMで,待機状態の挿入なしに無制限の真のバックツーバック読み書き操作をサポートするために特別に設計されています.CY7C1350Gは,各クロックサイクルでデータを転送する連続的な読み書き操作を可能にするために必要な先進的なNo Bus LatencyTM (NoBLTM) ロジックで装備されています.この機能は SRAM のスループットを劇的に向上させ,特に頻繁に書き/読み移行を必要とするシステムでは.

特徴

■ ZBTTM デバイスとピンの互換性があり,機能的に同等である
■ OE を使用する必要性をなくすための内部自律出力バッファ制御
■ バイト書き込み能力
■ 128 K × 36 共通 I/O アーキテクチャ
■ 3.3 V 電源 (VDD)
■ 2.5 V / 3.3 V I/O 電源 (VDDQ)
■ 速やかなクロック・トゥ・アウトプット
◎2.8 ns (200MHzデバイス用)
■ 時計の有効 (CEN) ピンを停止する
■ シンクロン 自動 書き込み
■ アシンクロン出力有効 (OE)
■Pb のない100ピンのTQFPパッケージ,Pb のないおよびPb のない119ボールのBGAパッケージで入手可能
■ 爆発能力 線形または交差式爆発順序
■ 休眠モードの選択

仕様

属性 属性値
製造者 サイパス半導体
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ ノーBLTM
パッケージ トレー
パッケージケース 119-BGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3.135V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 119-PBGA (14x22)
記憶容量 4.5M (128K×36)
メモリタイプ SRAM - 同期
スピード 133MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SRAM - 同期メモリIC 4.5Mb (128K x 36) パラレル 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGAサイプレス半導体株式会社

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最低注文量 :
1
支払条件 :
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供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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