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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
仕様
モデル番号 :
CY7C1313KV18-250BZXI
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
揮発
記憶フォーマット :
SRAM
テクノロジー :
SRAM - 同期,QDRII
記憶容量 :
18Mbit
記憶構成 :
1M × 18
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
250 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
-
アクセス時間 :
-
電圧 - 供給 :
1.7V~1.9V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
165-LBGA
供給者のデバイスパッケージ :
165-FBGA （13x15）
記述

製品詳細

機能説明

CY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,およびCY7C1315KV18は,QDR IIアーキテクチャを搭載した1.8V同期パイプライン SRAMである.QDR IIアーキテクチャは2つの別々のポートで構成される.メモリ配列にアクセスする読み口と書き口読み込みポートには読み込み操作をサポートする専用データ出力があり,書き込みポートには書き込み操作をサポートする専用データ出力があります.QDR IIアーキテクチャは,一般的な I/O デバイスで存在するデータバスに"ターンアロウンド"する必要性を完全に排除するために,別々のデータ入力とデータ出力があります..

特徴

■ 独立した読み書きデータポートを分離
合流取引をサポートする
■ 333MHz のクロック
■ アドレス バス の 頻度 を 減らす 4 文字 の 爆発
■ 読み書きポートの両方の2倍データレート (DDR) インターフェース (333MHzで666MHzでデータ転送)
■ 2 つの入力クロック (K と K) で,正確なDRDタイムリング
SRAM は 上昇する辺のみを使用します
■ 2つの入力クロックで出力データ (CとC) を入力し,クロック偏差と飛行時間の不一致を最小限に抑える
■ エコークロック (CQ と CQ) は高速システムでのデータ収集を簡素化します
■ 単一マルチプレックスアドレス入力バス 読み書きポートのアドレス入力
■深さ拡大のために別々のポートを選択する
■ シンクロン 内部 自律 書き込み
■ QDR® II は,DOFF が HIGH に設定されているとき,1.5 サイクル読み込み遅延で動作します.
■ DOFF が低値に設定されている場合,1サイクル読み込み遅延でQDR I デバイスに類似して動作します
■ ×8, ×9, ×18 と ×36 の構成で利用可能
■ 最新のデータを提供する完全なデータ一貫性
■コアVDD=1.8V (±0.1V);I/OVDDQ=1.4VからVDD
1.5Vと1.8VのI/O供給の両方をサポートします.
■ 165 ボール FBGA パッケージ (13 × 15 × 1.4 mm) で提供
■Pb のないパッケージとPb のないパッケージの両方で提供されます
■ 変動駆動 HSTL 出力バッファ
■ JTAG 1149.1 に対応する試験アクセスポート
■ PLL は,正確なデータ配置を可能にします

仕様

属性 属性値
製造者 サイパス半導体
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ CY7C1313KV18
タイプ シンクロン
パッケージ トレー
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 165-LBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 165-FBGA (13x15)
記憶容量 18M (1M x 18)
メモリタイプ SRAM - 同期,QDRII
スピード 250MHz
アクセス時間 0.45 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 1 M × 18
供給電流最大 440 mA
供給電圧最大 1.9V
供給電圧-分 1.7V
パッケージケース FBGA-165
最大 時計周波数 250 MHz
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
CY7C1313KV18-250BZC
記憶力		 QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 サイパス半導体 CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZC
CY7C1313KV18-250BZXC
記憶力		 QDR SRAM,1MX18,0.45ns,CMOS,PBGA165,FBGA-165 サイパス半導体 CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZXC
CY7C1313KV18-250BZI
記憶力		 QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 サイパス半導体 CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZI

記述

SRAM - 同期QDRIIメモリIC 18Mb (1M x 18) パラレル250MHz 165-FBGA (13x15)
SRAMチップシンクロ 双 1.8V 18M-ビット 1M x 18 0.45ns 165-ピン FBGA トレイ
SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM
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CY7C1313KV18-250BZXI
最低注文量 :
1
支払条件 :
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3~5 営業日
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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
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