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W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス
仕様
モデル番号 :
W9812G6KH-6
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
揮発
記憶フォーマット :
ドラム
テクノロジー :
SDRAM
記憶容量 :
128Mbit
記憶構成 :
8M×16
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
166 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
-
アクセス時間 :
5 ns
電圧 - 供給 :
3V~3.6V
動作温度 :
0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
54-TSOP （0.400"、10.16mmの幅）
供給者のデバイスパッケージ :
54-TSOP II
記述

製品詳細

記述

W9812G6KHは高速の同期ダイナミックランダムアクセスメモリ (SDRAM) で,2Mワード×4バンク×16ビットに分類されている.W9812G6KHは毎秒最大200Mワードのデータ帯域幅を提供します.パーソナルコンピュータの産業標準を完全に遵守する, W9812G6KHは次の速度グレードに分類される: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6Jと -75.


特徴

3.3V ± 0.3V 電源
200MHzまで 時計周波数
2,097152 単語 4 銀行 16 ビット 組織
オートリフレッシュモード
CAS 遅延: 2 と 3
1,2,4,8 ページの長さ
読み込み,書き込みモード
LDQM,UDQMによって制御されるバイトデータ
停止モード
自動前充電と制御前充電
4K リフレッシュサイクル/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
4Kリフレッシュサイクル/16mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
インターフェース: LVTTL
TSOP II 54ピン,400ミリで包装され,RoHS対応の鉛フリー材料を使用

仕様

属性属性値
製造者ウィンボンド電子
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージチューブ代替包装
パッケージケース54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ54-TSOPII
記憶容量128M (8M x 16)
メモリタイプSDRAM
スピード166MHz
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAMメモリIC 128Mb (8M x 16) パラレル 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAMチップ SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54ピンのTSOP-II
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W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス

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モデル番号 :
W9812G6KH-6
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
連絡するサプライヤー
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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