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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社
仕様
モデル番号 :
S29WS064RABBHW010
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
不揮発性
記憶フォーマット :
フラッシュ
テクノロジー :
フラッシュ-
記憶容量 :
64Mbit
記憶構成 :
4M x 16
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
108のMHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
60ns
アクセス時間 :
80 ns
電圧 - 供給 :
1.7V | 1.95V
動作温度 :
-25℃～85℃(TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
84-VFBGA
供給者のデバイスパッケージ :
84-FBGA (11.6x8)
記述

製品詳細

一般説明

Spansion S29WS256/128/064Nは,110nmプロセス技術で製造されたMirrorbitTMフラッシュ製品である.これらのバーストモードのフラッシュデバイスは,別のデータとアドレスピンを使用して,2つの独立した銀行でゼロの遅延で同時に読み書き操作を実行することができますこれらの製品は,最大80MHzまで動作し,1.7Vから1.95Vの単一のVCCを使用することができ,より高い密度を必要とする今日の要求の高いワイヤレスアプリケーションに理想的です.より良い性能と低電力消費.

特徴

■ 単一の1.8V読み込み/プログラム/消去 (1.70~1.95V)
■ 110nm ミラービットTM テクノロジー
■ 読み書きをゼロで同時操作する
遅延
■ 32 文字 の 書き込み バッファー
■ 16/8/4 の 16 銀行構造
WS256N/128N/064N の MWords
■ 16 Kword の4つの部門
メモリアレイ
■ 254/126/62 64 クワード部門 (WS256N/128N/
064N)
■ プログラム可能なバースト読み取りモード
線形で 32, 16 または 8 文字線形で,または
包装なし
連続連続読み取りモード
■ SecSiTM (Secured Silicon) セクター地域
工場と顧客についてそれぞれ 128 文字
■ 20 年間のデータ保存 (典型)
■ サイクリング 耐久性: 各部門あたり10万回
(典型的な)
■ RDY出力はシステムに利用可能なデータを示します.
■ JEDEC に対応するコマンドセット (42.4)
標準
■ 上部と下部をハードウェア (WP#) で保護する
セクター
■ 双重ブートセクター配置 (上と下)
■ 提供されたパッケージ
WS064N:80ボールのFBGA (7mm x 9mm)
WS256N/128N: 84ボールのFBGA (8mm x 11.6mm)
■低VCC書き込み阻害
■ アドバンスド の 持続 的 と パスワード の 方法
セクター保護
■ 書き込み 動作状態のビット プログラムと表示
削除 完了
■ プログラムとコンピュータのコマンドを停止し再開する
削除操作
■ プログラム 命令をオフロック
プログラミング時間
■ 同期または非同期プログラム操作
爆発制御レジスタの設定とは独立している
■ 工場でのプログラミング時間を短縮するACC入力ピン
■ 共同フラッシュインターフェイス (CFI) のサポート
■工業用温度帯 (コンタクト工場)

仕様

属性 属性値
製造者 サイパス半導体
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ WS-R
パッケージ トレー
マウントスタイル SMD/SMT
動作温度範囲 -25°Cから+85°C
パッケージケース *
動作温度 -25°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ *
記憶容量 64M (4M x 16)
メモリタイプ FLASH - NOR
スピード 108MHz
建築 セクター
フォーマットメモリ フラッシュ
スタンダード 共通フラッシュインターフェイス (CFI)
インターフェースタイプ パラレル
組織 4 M × 16
供給電流最大 44mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 1.95V
供給電圧-分 1.7V
パッケージケース FBGA-84
最大 時計周波数 108 MHz
タイムタイプ アシンクロン シンクロン
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
S29WS064R0SBHW000
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW000
S29WS064R0SBHW013
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW013
S29WS064RABBHW010
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010 対 S29WS064RABBHW010
S29WS064R0SBHW010
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010 対 S29WS064R0SBHW010
S29WS064R0PBHW010
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW010
S29WS064R0SBHW003
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0SBHW003
S29WS064RABBHW013
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064RABBHW013
S29WS064R0PBHW013
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW013
S29WS064RABBHW003
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064RABBHW003
S29WS064R0PBHW000
記憶力		 フラッシュ, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM,リードフリー, FBGA-84 サイパス半導体 S29WS064RABBHW010対S29WS064R0PBHW000

記述

FLASH - NOR メモリ IC 64Mb (4M x 16) パラレル 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR フラッシュ パラレル 1.8V 64M ビット 4M x 16 80ns 84ピン TFBGA トレイ
フラッシュメモリ
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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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