MR3 反射ランプ組
MR4 反射ランプ組
MR6 反射ランプ組
調整可能な焦点反射器組
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | エヴァースピン |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | MR4A16B |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 54-TSOP2 |
記憶容量 | 16M (1M x 16) |
メモリタイプ | MRAM (磁気抵抗型RAM) |
スピード | 35ns |
アクセス時間 | 35 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | +70°C |
動作温度範囲 | 0 C |
稼働供給電流 | 110 mA |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 1 M × 16 |
データバスの幅 | 16ビット |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 3V |
パッケージケース | TSOP-54 |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
MR4A16BYS35R 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 vs MR4A16BYS35R |
MR4A16BCYS35R 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 対 MR4A16BCYS35R |
MR4A16BMYS35R 記憶力 |
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 対 MR4A16BMYS35R |
MR4A16BMYS35 記憶力 |
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35対MR4A16BMYS35 |
MR4A16BCYS35 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35対MR4A16BCYS35 |