仕様
モデル番号 :
MR4A16BYS35
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
不揮発性
記憶フォーマット :
RAM
テクノロジー :
MRAM (磁気抵抗型RAM)
記憶容量 :
16Mbit
記憶構成 :
1M x 16
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
35ns
アクセス時間 :
35 ns
電圧 - 供給 :
3V~3.6V
動作温度 :
0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
54-TSOP (0.400"、10.16mmの幅)
供給者のデバイスパッケージ :
54-TSOP2
記述

製品詳細

MR3 反射ランプ組

MR4 反射ランプ組

MR6 反射ランプ組

調整可能な焦点反射器組

仕様

属性 属性値
製造者 エヴァースピン
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ MR4A16B
パッケージ トレイ 代替パッケージ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 54-TSOP2
記憶容量 16M (1M x 16)
メモリタイプ MRAM (磁気抵抗型RAM)
スピード 35ns
アクセス時間 35 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
稼働供給電流 110 mA
インターフェースタイプ パラレル
組織 1 M × 16
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 3V
パッケージケース TSOP-54
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
MR4A16BYS35R
記憶力
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 エヴァースピン・テクノロジーズ MR4A16BYS35 vs MR4A16BYS35R
MR4A16BCYS35R
記憶力
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 エヴァースピン・テクノロジーズ MR4A16BYS35 対 MR4A16BCYS35R
MR4A16BMYS35R
記憶力
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 エヴァースピン・テクノロジーズ MR4A16BYS35 対 MR4A16BMYS35R
MR4A16BMYS35
記憶力
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 エヴァースピン・テクノロジーズ MR4A16BYS35対MR4A16BMYS35
MR4A16BCYS35
記憶力
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 エヴァースピン・テクノロジーズ MR4A16BYS35対MR4A16BCYS35

記述

MRAM (磁気抵抗型RAM) メモリIC 16Mb (1M x 16) パラレル35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit パラレル 3.3V 54ピンのTSOPトレイ
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 パラレルMRAM
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MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 エバーグリーン・テクノロジーズ

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最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
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MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 エバーグリーン・テクノロジーズ

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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