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W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON ウィンボンド・エレクトロニクス
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON ウィンボンド・エレクトロニクス
仕様
モデル番号 :
W25N01GVZEIG TR
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
不揮発性
記憶フォーマット :
フラッシュ
テクノロジー :
フラッシュ-否定論履積
記憶容量 :
1Gbit
記憶構成 :
128M x 8
記憶インターフェイス :
SPI
クロック周波数 :
104のMHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
-
アクセス時間 :
-
電圧 - 供給 :
2.7V~3.6V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
8-WDFN 露出パッド
供給者のデバイスパッケージ :
8-WSON （8x6）
記述

製品詳細

NPT技術における高速IGBTと柔らかい,急速な復元反平行EMConダイオード

• 前世代と比較して40%低いEOF

短回路 耐える時間 10 μs
• 以下の用途のために設計されています.
- モーター制御
- インバーター
- SMPS
• NPT テクノロジー 提供:
- 非常に狭いパラメータ分布
- 高耐性,温度安定性
- パラレル切換能力
• Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
• JEDEC1 に基づいて対象アプリケーションに適格
• 製品スペクトルとPSpiceモデルの全容量:http://www.infineon.com/igbt/

仕様

属性属性値
製造者ウィンボンド電子
製品カテゴリーメモリIC
シリーズスピフラッシュ®
パッケージテープ&ロール (TR)
パッケージケース8-WDFN 露出パッド
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースSPI シリアル
電圧供給2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ8×6
記憶容量1G (128M x 8)
メモリタイプFLASH - NAND
スピード104MHz
フォーマットメモリフラッシュ

記述

FLASH - NANDメモリIC 1G (128M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (8x6)
1Gビットシリアル NAND フラッシュ,3V
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W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON ウィンボンド・エレクトロニクス

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製品詳細
モデル番号 :
W25N01GVZEIG TR
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
連絡するサプライヤー
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON ウィンボンド・エレクトロニクス

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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