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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II アライアンスメモリー,インク
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II アライアンスメモリー,インク
仕様
モデル番号 :
AS4C2M32SA-6TCN
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
揮発
記憶フォーマット :
ドラム
テクノロジー :
SDRAM
記憶容量 :
64Mbit
記憶構成 :
2M × 32
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
166 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
2ns
アクセス時間 :
5.5 ns
電圧 - 供給 :
3V~3.6V
動作温度 :
0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
86-TFSOP （0.400"、10.16mmの幅）
供給者のデバイスパッケージ :
86-TSOP II
記述

製品詳細

機能説明

AS4C256K16E0は,高性能4メガビットCMOSダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) で,262,144文字×16ビットに分類されています.AS4C256K16E0は,高度なCMOS技術で製造され,高速な結果をもたらす革新的な設計技術で設計されています部品やシステムレベルでは非常に低電力で,大きな稼働利益を得ることができます.

特徴

• 組織: 262,144 文字 × 16 ビット
• 高速
- 30/35/50 ns RAS アクセス 時間
- 16/18/25 ns 列アドレス アクセス 時間は
- 7/10/10/10 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
- アクティブ:最大500mW (AS4C256K16E0-25)
スタンバイ:最大3.6mW CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• EDOページモード
• 爽快 な 気分 を 味わう
- 512 更新サイクル, 8 ms の更新間隔
- RASのみまたはCAS前RAS更新または自己更新
- 自動更新オプションは,新しい世代のデバイスのみに使用できます. 詳細については,アライアンスと連絡してください.
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 400ミリ,40ピンのSOJ
- 400ミリ,40/44ピンのTSOPII
5V 電源
切断電流 > 200 mA

仕様

属性 属性値
製造者 アライアンス・メモリー
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 86-TFSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 86-TSOPII
記憶容量 64M (2M x 32)
メモリタイプ SDRAM
スピード 166MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAMメモリIC 64Mb (2M x 32) パラレル 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM 64M3.3V 166MHz,2M × 32
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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II アライアンスメモリー,インク

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製品詳細
モデル番号 :
AS4C2M32SA-6TCN
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
連絡するサプライヤー
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II アライアンスメモリー,インク

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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