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WG50N65DHWQ IGBTのトランジスター モジュール、視野絞りの堀IGBT 650V 91A 278W
WG50N65DHWQ IGBTのトランジスター モジュール、視野絞りの堀IGBT 650V 91A 278W
仕様
型式番号 :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大) :
650V
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
91 A
現在-脈打つコレクター（Icm） :
200A
Vce （） （最高） @ Vge、IC :
2V @ 15V、50A
パワー - 最大 :
278 W
転換エネルギー :
1.7mJ （）、600µJ （）
記述

穴TO-247-3を通したWG50N65DHWQ IGBTの堀の視野絞り650 V 91 A 278 W

WeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBT

WeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTはTO247パッケージのanti-parallelダイオードとの高速650V/50A IGBTである。このIGBTは低い切換えの損失との高速を提供し、特徴は電圧オーバーシュートを避け、システムEMIを減らす転換の行動を滑らかにする。WG50N65DHWQ IGBTの特徴はゲート分野停止技術を堀で囲み、低い熱抵抗を提供する。このIGBTはハロゲンなしのパッケージ入って来、Pbなしの鉛の終わりを特色にし、そして迎合的なRoHSである。典型的な適用は力率訂正、溶接のコンバーター、太陽インバーターを含んでいる。産業インバーターおよびUPS。

特徴

  • 低い転換の損失と高速
  • 速く、柔らかい回復anti-parallelダイオード
  • 肯定的なVセリウム（坐った）温度係数
  • 速く、柔らかい回復anti-parallelダイオード
  • JEDECに従って修飾し、UL94V0燃焼性の条件を満たす
  • 滑らかな転換の行動は電圧オーバーシュートを避け、システムEMIを減らす
  • ハロゲンなしのパッケージおよびPbなしの鉛の終わり
  • 迎合的なRoHS
  • 低い熱抵抗
  • 低いVセリウム（坐った）そして低い転換の損失
  • 堀のゲート分野停止技術

指定

  • 150°C作動の接合部温度の範囲への-55°C
  • 650V Collector-Emitter電圧Vセリウム
  • 50A DCのコレクター流れIC

適用

  • 力率訂正
  • 溶接のコンバーター
  • 太陽インバーター
  • 産業インバーター
  • UPS

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製品詳細
型式番号 :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大) :
650V
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
91 A
現在-脈打つコレクター（Icm） :
200A
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HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2020
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3000000-5000000
従業員数 :
10~20
認証レベル :
Verified Supplier
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