MachineU > 中国製品 > 機械 > 工作機械設備 > マシニングセンター＆パーツ > マシニングセンター
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
仕様
型式番号 :
IMBG120R350M1HXTMA1
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) :
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C :
4.7A （Tc）
Rds On (Max) @ Id、Vgs :
468mOhm @ 2A、18V
Vgs(th) (最大) @ Id :
5.7V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs :
5.9 NC @ 18ボルト
Vgs (最大) :
+18V、-15V
記述

IMBG120R350M1HXTMA1 N-Channel 1200 V 4.7A （Tc）の65W （Tc）表面の台紙PG-TO263-7-12

インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュール

インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュールはおよびシステム自在性よい効率度を提供する炭化ケイ素（SiC） MOSFETモジュールである。これらのモジュールは近い境界回路（NTC）およびPressFIT接触の技術と来る。CoolSiCモジュールはクラスの切換えおよび伝導の損失および低い帰納的設計で最もよい高い電流密度を特色にする。これらのモジュールは高周波操作、増加された出力密度および最大限に活用された開発サイクルの時間および費用提供する。

特徴

  • 高い電流密度
  • クラスの切換えおよび伝導の損失のベスト
  • 低い帰納的設計
  • 低い装置キャパシタンス
  • 逆の回復充満が付いている本質的なダイオード
  • 統合されたNTCの温度検出器
  • PressFIT接触の技術
  • 努力を冷却することを減らされるのための高性能
  • 境界なしのオン州の特徴
  • 温度の独立した転換の損失
  • 高周波操作
  • 増加された出力密度
  • 最大限に活用された開発サイクルの時間および費用
  • 迎合的なRoHS

指定

  • DF23MR12W1M1およびDF11MR12W1M1:
    • ブスター構成
    • 容易な1B構成
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 62.8mm x 33.8mm次元
  • FF8MR12W2M1およびFF6MR12W2M1:
    • 二重構成
    • 容易な2Bハウジング
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 62.8mm x 48mm次元
  • F423MR12W1M1P:
    • FourPack構成
    • 容易な1B構成
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 62.8mm x 33.8mm次元
  • FF11MR12W1M1、FF45MR12W1M1およびFF23MR12W1M1:
    • 二重構成
    • 容易な1Bハウジング
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 62.8mm x 33.8mm次元
  • F3L11MR12W2M1:
    • 3レベルの構成
    • 容易な2B構成
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 42.5mm x 51mm次元
  • FS45MR12W1M1:
    • SixPACK構成
    • 容易な1Bハウジング
    • M1技術
    • 1200V電圧クラス
    • 62.8mm x 33.8mm次元

追加的なリソース

回路図

IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙

パフォーマンス グラフ

IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
このサプライヤーにメッセージを送信します
今 送れ

IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙

最新価格を尋ねる
製品詳細
型式番号 :
IMBG120R350M1HXTMA1
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) :
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C :
4.7A （Tc）
Rds On (Max) @ Id、Vgs :
468mOhm @ 2A、18V
連絡するサプライヤー
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2020
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3000000-5000000
従業員数 :
10~20
認証レベル :
Verified Supplier
似た商品を 探す
もっと見る
関連動画を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ 製品
MachineU 中国製品 機械 工作機械設備 マシニングセンター＆パーツ マシニングセンター
連絡するサプライヤー
提出する要件