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VS-GT90DA120U IGBTのトランジスター モジュール単一1200V 169A 781Wのシャーシの台紙SOT-227
VS-GT90DA120U IGBTのトランジスター モジュール単一1200V 169A 781Wのシャーシの台紙SOT-227
仕様
型式番号 :
VS-GT90DA120U
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大) :
1200V
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
169 A
パワー - 最大 :
781 W
Vce （） （最高） @ Vge、IC :
2.6V @ 15V、75A
電流 - コレクタ カットオフ (最大) :
100μA
実用温度 :
-40℃～150℃(TJ)
記述

VS-GT90DA120U IGBTモジュールの堀の単一の1200のV 169 A 781 Wのシャーシの台紙SOT-227を視野絞り

Vishayの半導体IGBT力モジュール

Vishayの半導体IGBT力モジュールの特徴の堀PT IGBTの技術はティグ溶接機械の方に連動になり。これらのIGBTsはHEXFRED®およびフレッドPt®のダイオードの技術結合し、ULの標準に合う。ある変形のINT-A-PAKの特徴は高い電圧および流れを要求する限られた高さの条件の設計を可能にする。EMIPAK-2Bのパッケージは改善された熱性能のためのPressFitピンそして露出された基質を特色にする。最大限に活用されたレイアウトは外部変数を最小にするのを助けよりよいEMIの性能を可能にする。Vishayの半導体IGBT力モジュールは電気器具モーター ドライブ、電気自動車モーター ドライブ、太陽インバーター、無停電電源装置（UPS）、および力率訂正のコンバーターのような適用で使用される。

特徴

  • 堀PT IGBTの技術
  • 1200V堀および視野絞りの技術の変形
  • 速い回復のフレッドPtのanti-parallelダイオード
  • PressFitピン技術
  • ultrasoft逆の回復特徴のHEXFREDのantiparallelダイオード
  • 低い熱抵抗の露出されたAl2O3基質
  • 統合されたサーミスター
  • 低い内部インダクタンス
  • 低い転換の損失
  • 評価される短絡
  • 正方形RBSOA
  • 十分に隔離されたパッケージ
  • 非常に低い内部インダクタンス
  • 業界標準の輪郭
  • ULはファイルE78996を承認した
  • 低いVセリウム（）
  • Al2O3DBC
  • 産業レベルのために設計されている

適用

  • 産業高周波溶接
  • ティグ溶接
  • UPS
  • 太陽インバーター
  • スイッチ モード電源（SMPS）
  • 力率訂正（PFC）
  • 誘導加熱
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VS-GT90DA120U IGBTのトランジスター モジュール単一1200V 169A 781Wのシャーシの台紙SOT-227

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製品詳細
型式番号 :
VS-GT90DA120U
MOQ :
50pcs
供給の能力 :
1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大) :
1200V
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
169 A
パワー - 最大 :
781 W
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HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2020
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3000000-5000000
従業員数 :
10~20
認証レベル :
Verified Supplier
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