仕様
モデル番号 :
マイクロジェットレーザー技術機器
産地 :
中国
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
配達時間 :
5〜10ヶ月
カウンタートップの容量: :
300*300*150
数値制御型: :
DPSS Nd:YAG
記述

マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

m の抽象イクロジェットレーザー技術機器

 

マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

 

 

マイクロジェットレーザーシステムは,高エネルギーパルスレーザーをマイクロスケール液体ジェット (通常は離子化水または惰性液体) に結合することによって,半導体材料の超精密加工を可能にします.液体ジェットの導気と冷却効果を用いて.

 

高精度で 損傷が少なく 清潔さも高い マイクロジェットレーザー技術が 半導体分野での従来の加工とドライレーザープロセスを 置き換えています特に第三世代の半導体 (SiC/GaN) で3Dパッケージングと超薄質のウエファー加工

 

 


 

マイクロジェットレーザー加工

 

 

マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

 

 


 

テクニカル仕様

 

カウンタートップの容量 300*300*150 400*400*200
線形軸 XY 線形モーター 線形モーター
線形軸 Z 150 200
定位精度 μm +/−5 +/−5
繰り返し位置付け精度 μm +/-2 +/-2
加速 G 1 0.29
数値制御 3軸 /3+1軸 /3+2軸 3軸 /3+1軸 /3+2軸
数値制御型 DPSS Nd:YAG DPSS Nd:YAG
波長 nm 532/1064 532/1064
定位電源 W 50/100/200 50/100/200
水噴流 40〜100 40〜100
ノズルの圧力バー 50〜100 50から600
寸法 (機械) (幅 * 長さ * 高さ) mm 1445*1944*2260 1700*1500*2120
サイズ (コントロールキャビネット) (W * L * H) 700*2500*1600 700*2500*1600
重量 (機器) T 2.5 3
体重 (コントロールキャビネット) kg 800 800

処理能力

表面荒さ Ra≤1.6um

開口速度 ≥1.25mm/s

円周切断 ≥6mm/s

線形切断速度 ≥50mm/s

表面荒さ Ra≤1.2um

開口速度 ≥1.25mm/s

円周切断 ≥6mm/s

線形切断速度 ≥50mm/s

 

ガリウムナイトリッド結晶,超幅帯のギャップ半導体材料 (ダイヤモンド/ガリウム酸化物),航空宇宙の特殊材料,LTCC炭素セラミック基板,光伏,スキンチラター結晶および他の材料の加工.

注:加工容量は材料の特性によって異なります.

 

 

 


マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

マイクロジェットレーザー装置 技術的利点

 

1加工材料や加工機器の少量損失


2. 磨きリンクを大幅に削減


3. 自動処理の労働コストが低い


4高品質の加工壁と切断エッジ


5環境汚染なく清潔な加工


6高処理効率


7高い加工生産性

 

 


 

微流体レーザーによるシリコン・ウェーバーの書き込み

 

試し,デバッグ処理パラメータと切断効果は,下図に示されています. 40μmノズルの切断幅は35umです.切断が完了した後,ワッフルは完全に傷ついた切断テープ (UVフィルム) の背面は基本的には無傷で,傷つきません. 交差点の縁に亀裂や亀裂はありません.これは加工要件を満たしています.

 

 

マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

 

 


 

Q&A

 

1Q: マイクロジェットレーザー技術機器の主な利点は?
A: マイクロジェットレーザー技術機器の利点は,高精度加工,良い冷却効果,熱に影響を受けるゾーンがないこと,並列切断刃,効率的な加工性能,硬くて脆い材料の精密加工に適している.

 

 

2Q:マイクロジェットレーザー技術機器はどの分野で使用されていますか?
A: マイクロジェットレーザー技術機器は,第3世代の半導体,航空宇宙材料,ダイヤモンド切削,金属化ダイヤモンド,セラミック基板などの分野で広く使用されています.

 

 


タグ: #マイクロジェットアイランドレーザー機器 #マイクロジェットレーザー技術 #半導体ウェーファー加工 #ウェーファースライス #シリコンカービッド材料 #ウェーファー切片 #メタル

 

 

 

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