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シック成長炉 PVT方法 6インチ 8インチ 12インチ 低エネルギー消費
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仕様
温度範囲: :
900~3000°C
熱電源: :
Pmax=40Kw,周波数 8~12KHz
記述

 

ZMSH SiC インダクション成長炉の要約

 

シック成長炉 PVT方法 6インチ 8インチ 12インチ 低エネルギー消費


 

シリコンカービッドインダクション成長炉は,高温環境を提供するためにインダクション加熱技術を使用して高品質のシリコンカービッド (SiC) 結晶を栽培するための装置です.誘導成長炉は,電磁誘導の原理を通じて,直接グラフィット・グライブルと原材料を熱します.急速な加熱速度,正確な温度制御,低エネルギー消費の特徴があり,シリコンカービッド単結晶の準備のための重要な機器の一つです.

 

 

シック成長炉 PVT方法 6インチ 8インチ 12インチ 低エネルギー消費

 

 

 

特徴SiCインダクション成長炉

 

■高効率の加熱:インダクション加熱速度,高熱効率,低エネルギー消費.

 

· 精密な温度制御: 温度制御の精度は ± 1°C に達し,結晶の成長の質を保証します.

 

●高安定性:接触なしのインダクション加熱,汚染を削減し,長期間の連続作業に適しています.

 

· 低汚染:高純度グラフィットと惰性大気を使用することで,不純物の結晶質への影響を軽減します.

 

 

 

テクニカル仕様

 

仕様 詳細
サイズ (L × W × H) 3200×1150×3600mmまたはカスタマイズ
炉室直径 中等 400mm
限界真空 5x10-4Pa (分子ポンプの起動後1.5時間)
インダクションコイル移動 200mm
オーブンのシャーシ・ストロック 1250mm
加熱方法 インダクション加熱
加熱方法 インダクション加熱
炉内の最大温度 2400°C
熱電源 Pmax=40Kw,周波数 8~12KHz
温度測定 2色赤外線温度測定
温度測定範囲 900~3000°C
温度制御の精度 ±1°C
制御圧力範囲 1~700mbar
圧力制御の精度 1~10mbanr, ±0.5%F.S;
10~100mbanr,0.5%F.S について;
100~700mbar±0.5mbar
読み込み方法 読み込みモード 負荷が低く,操作が簡単,安全
選択可能な設定 溶融器の回転,二重温度測定点

 

 

 

設計上の利点

 

1. 6インチ / 8インチ結晶の成長を満たす;

2. 半絶縁型および導電性の結晶生長環境に対応し,温度均一性を向上させるため,溶融器の回転,混乱を軽減するためにコイルリフティング;

3. 水で冷却された二重層クォーツシリンダー構造は,室の寿命を効果的に改善し,高品質の結晶の成長を促進する安定した長い結晶環境を提供します.

4. プロセスデバッグを容易にするためのリアルタイムでの高低温の正確な監視

5. 任意の常動電源,常動電流,常温作業モード

6. 鍵付きのインテリジェント・スタート,手動による介入を削減し,大規模生産を促す.

7高品質の6インチシリコンカービッド単一製品,高純度シリコンカービッド原材料合成,結晶焼却および他の分野;

8. コンパクトな3次元機械設計,便利な配置,工場利用率を向上させる

9. 高精度バタフライバルと質量流量計を使用して,炉内の成長圧を制御し,安定した成長環境を提供します.最大圧制御精度 ±1Pa が結晶成長圧下で達成できる..

 

 

シック成長炉 PVT方法 6インチ 8インチ 12インチ 低エネルギー消費

 

 

 

効果についてSiCインダクション成長炉

 

シリコンカービッドインダクション成長炉は,高品質で低欠陥のシリコンカービッド単結晶を効率的に育てることができ,結晶純度が99.999%以上に達します.この単一結晶は高性能の電源装置 (MOSFETなど) の製造に使用されます電気自動車の性能を大幅に向上させる高電圧抵抗,低オン損失,高周波特性を持つRFデバイス太陽光インバーターと5G通信機器さらに,高温安定性とインダクション成長炉の正確な温度制御は,結晶の一貫性と出力を保証します.半導体産業の厳格な材料要求を満たす.

 

 

シック成長炉 PVT方法 6インチ 8インチ 12インチ 低エネルギー消費

 

 

 

ZMSHサービス

 

ZMSHは,機器のカスタマイズを含む,シリコンカービッドインダクション成長炉の設計,製造,設置,販売後サポートサービスを提供します.プロセス最適化と技術訓練先進的なインダクションヒート技術と 幅広い業界経験により 設備の高効率,安定性,低エネルギー消費を保証します顧客が高品質のシリコンカービッド結晶の大規模生産を達成するために迅速な対応と24/7技術サポートを提供しながら.

 

 

 

Q&A

 

1Q: シリコンカービッドインダクション成長炉は何のために使用されますか?
A: 高品質のシリコンカーバイド (SiC) 結晶を物理蒸気輸送 (PVT) 方法で栽培するために使用されます. 電力電子機器とRFデバイスの製造に不可欠です.

 

 

2. Q:インダクションオーブンはなぜSiC結晶の成長に好ましいのでしょうか?
A: インダクションオーブンは,迅速な加熱,正確な温度制御,そして高いエネルギー効率を提供し,低欠陥,高純度SiC結晶を生産するのに理想的です.


 


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