仕様
型式番号 :
GaN型板
原産地 :
中国
MOQ :
5pc
支払の言葉 :
L / C、T / T
受渡し時間 :
2 - 4週間
包装の細部 :
100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
材料 :
サファイアのキャリアのGaNのepi
方法 :
HVPE
サイズ :
2inch
厚さ :
430um
企業 :
、レーザー装置導かれる、LD探知器、
表面 :
磨かれる単一の側面
記述

2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、

GaNの指定/特殊機能:

  1. ガリウム窒化物(GaN)はウルツ鉱が結晶構造あるで、第三世代の材料としておそらく最も重要な半導体材料です非常に堅いなされた材料
  2. それが華麗なライトを発光ダイオード(LEDs)および半導体レーザーの形で出したり、また次世代の高周波のための主な材料、高温で作動することができる高い発電のトランジスターにあるのに使用することができます。
  3. GaNはサファイアの基質、直径にエピタキシアル ウエファー(サファイア、SiC)エピタキシアル ウエファーがMBEまたはMOCVD方法によって育つ、1つの層または多層構造を4インチまで基づかせていました。

III窒化物(GaN、AlNのイン)の禁止された帯域幅(発光および吸収)カバー紫外線、

可視ライトおよびinfrared.GaNはLED表示、高エネルギー検出のような多くの地域で使用することができます

そしてイメージ投射、レーザーの投射の表示、力装置、等。

2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板

指定:

2" GaNの型板

項目

GaN-T-N

GaN-T-S

次元

Ф 2"

厚さ

15 μm、20 μm、30 μm、40 μm

30 μm、90 μm

オリエンテーション

C軸線(0001)の± 1°

伝導のタイプ

Nタイプ

半絶縁

抵抗(300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

転位密度

1x108 cm-2よりより少し

基質の構造


430umか330umサファイアの厚いGaN (0001)

使用可能な表面積

> 90%

ポーランド語

標準:SSPの選択:DSP

パッケージ

、窒素の大気の下で25pcsまたは単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。

2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板


2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板
- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できますか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れます。
Q:受渡し時間は何ですか。
(1) 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日です。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数です。
Q:支払う方法か。
先立って100%T/T、Paypalの西連合、MoneyGram、


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2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板

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2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板
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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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