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2インチ ガリウム窒化物のウエファーのサファイアの型板のEpiのウエファー
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仕様
型式番号 :
2inch GaNサファイアのGaNの型板
原産地 :
中国
MOQ :
5pcs
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1000PCS/Month
受渡し時間 :
1-4week;
包装の細部 :
100cleaning部屋の下の単一のウエファーの容器か25pcsカセット箱
材料 :
GaNサファイアのepiウエファー
基質 :
サファイア
サイズ :
2-6inch
表面 :
SSP/DSP
OEM MOQ :
8pcs
厚さ :
2inchのための430um
epiの厚さ :
1-5um
適用 :
エピタキシアルhEMT
カスタマイズされる :
わかりました
記述

2inch 4inch 6inchのGaNサファイアの青は緑LEDのepiウエファーPSSのウエファーを導いた

2inch 4inchのuGaN/nGaN/pGaNサファイアの型板のepiウエファー

GaN （ガリウム窒化物）のepiのウエファーの一流の製造業者そして製造者として、私達はC平面のサファイアの基質430umのインチ、4インチ520um、650umの2の厚さのマイクロウェーブ電子工学の適用のためのサファイアのepiのウエファーの2-6inch GaNを提供し、6インチ1000-1300umは、GaNの緩衝層の正常な価値2-4umである;私達はまた顧客の要求に従ってカスタマイズされた構造および変数を提供してもいい。

サファイアの型板のGaN

サファイアの型板のGaNは2"からの直径で利用でき6"まで、サファイアの基質のHVPEによって育つ結晶のGaNの薄層から成っている。利用できるEpi準備ができた型板今

GaN （ガリウム窒化物）のepiのウエファーの一流の製造業者そして製造者として、私達はC平面のサファイアの基質430umのインチ、4インチ520um、650umの2の厚さのマイクロウェーブ電子工学の適用のためのサファイアのepiのウエファーの2-6inch GaNを提供し、6インチ1000-1300umは、GaNの緩衝層の正常な価値2-4umである;私達はまた顧客の要求に従ってカスタマイズされた構造および変数を提供してもいい。

uGaN/nGaN/pGaNサファイアの型板のためのSpecs
ZMKJの半導体は平面の良質uGaN/nGaN/pGaN材料を作り出すために託される
2インチからの6inchへのいろいろなウエファーのサイズのサファイアの基質かPSS。ウエファーの質は会う
続くspecs:
項目

2インチ ガリウム窒化物のウエファーのサファイアの型板のEpiのウエファー

より多くの情報のために、私達のウェブサイトを他のページ訪問しなさい;
eric-wang@galliumnitridewafer.comで私達に電子メールを送りなさい

ZMSHは中国の半導体材料の一流の製造業者である。ZMSHは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、製造工程、設計された基質および半導体デバイスを発達させる。私達の技術は半導体ウエハーの高性能そして低価格の製造業を可能にする。

半導体ラインの私達の10+経験に基づいてサービスの後でに照会から私達の自由な技術サービスを得ることができる。

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2インチ ガリウム窒化物のウエファーのサファイアの型板のEpiのウエファー

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製品詳細
型式番号 :
2inch GaNサファイアのGaNの型板
原産地 :
中国
MOQ :
5pcs
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1000PCS/Month
受渡し時間 :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
Verified Supplier
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