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N-GaAs 基板 VCSEL エピワファー 6 インチ ガリウムアルセニード ワファー 2 インチ 光電子機器用
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仕様
材料 :
ガリウムアルセニード
サイズ :
2インチ
厚さ :
430um
オリエンテーション :
<111> <110>
タイプ :
nのタイプ
洞窟モード 均一性 :
≤ 1%
記述

2インチN・ガリウムアルセニード基板,N・GaAs VCSEL エピタキシアル・ウェーバー,半導体エピタキシアル・ウェーバー,2インチN・GaAs ベース,GaAs シングルクリスタルウェーバー 2インチ3インチ4インチN・GaAs ベース,半導体ウエファーN-ガリウムアルセニードレーザー エピタキシアル・ウェーファー

N-GaAs基板の特徴


- 製造にGAA基質を使用する

- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします

レーザーで使われています レーザーで使われています

- 0.7μmから0.9μmの波長範囲で,量子井戸構造

- MOCVD や MBE,エッチング,金属化,包装などの技術を使用して,最終的な形状を達成します


記述N-GaAs基板
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
N-GaAs基板はガリウム (Ga) とアセンニウム (As) で構成され,自由電子の濃度を高めるためにn型ドーピング技術を使用します.導電性と電子移動性を向上させる.
この材料は,レーザー放射に適したエネルギー帯域幅が約1.42 eVで,光電子特性が優れている.

VCSELの構造には,通常,複数の量子井戸と反射層が含まれ,効率的なレーザー空洞を形成するためにN-GaAs基板に成長します.
量子井戸層はレーザーを刺激し放出する責任があり,反射器はレーザーの出力効率を向上させる.
N-GaAs基板の優れた熱安定性と電気特性により,VCSELの高性能と安定性が確保されており,高速データ送信でも良好な性能を保っている.


N-GaAs基板に基づくVCSELは,光ファイバー通信,レーザープリンター,センサーなどの分野で広く使用されています.
高効率で低電力消費で 近代通信技術の重要な部品となっています
高速データ伝送の需要が増えるにつれて,N-GaAs基板に基づくVCSEL技術が徐々に光電子の発展の重要な方向に発展しています.様々なアプリケーションの進歩と革新を促進する.


N-GaAs基板の詳細

パラメータ VCSEL
税率 25G/50G
波長 850nm
サイズ 4インチ/6インチ
穴位モード 許容性 ±3%以内
洞窟モード 均一性 ≤1%
ドーピングレベル ±30%以内
ドーピングレベル 均一性 ≤10%
PL 波長均一性 2nm @内側140mmより良い
厚さの均一性 ±3% @内側140mm より良い
モル分数 × 許容量 ±0 圏内03
モル分数 × 均一性 ≤0.03

N-GaAs基板のサンプルが
N-GaAs 基板 VCSEL エピワファー 6 インチ ガリウムアルセニード ワファー 2 インチ <100> <110> 光電子機器用N-GaAs 基板 VCSEL エピワファー 6 インチ ガリウムアルセニード ワファー 2 インチ <100> <110> 光電子機器用
*あなたがカスタマイズされた要件を持っている場合は,私達に連絡してください.

私達について
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私たちの企業,ZMSHは,半導体基板と光学結晶材料の研究,生産,加工,販売に特化した.
精密な加工機器と 試験機器を備えています標準化されていない製品を加工する非常に強力な能力を提供しています.
顧客のニーズに応じて様々な新しい製品を研究,開発,デザインすることができます.
同社は"顧客を中心に 品質を重視する"という原則を堅持し,光電子材料の分野でトップレベルのハイテク企業になるよう努めます.


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よくある質問
1費用はどうですか? 他の材料と比較して基板?
A: その通りN-GaAs基板シリコンより高価なものです基板他の半導体材料もあります

2Q: 将来の見通しは?N-GaAs基板?
A: 将来の見通しN-GaAs基板とても有望です

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材料 :
ガリウムアルセニード
サイズ :
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ありがとうございました 2013
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1000000-1500000
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