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NS9210B-0-175分離した半導体デバイス43V 225MWの表面の台紙SOT-23-3 TO-236
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仕様
型式番号 :
NS9210B-0-175
MOQ :
>=2pcs
供給の能力 :
Day+pcs+2-3daysごとの20000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠;テープを切りなさい;Digi巻き枠
原産地 :
中国
支払の言葉 :
L/C、ウェスタン・ユニオン、、D/A、D/P、T/T
記述 :
ダイオード ツェナー 43V 225MW SOT23-3
タイプの取付け :
表面の台紙
実用温度 :
-65°C | 150°C
パッケージ/場合 :
SOT
電圧-供給 :
43V
パワー - 最大 :
225mW
インピーダンス（最高） （Zzt） :
93オーム
基礎プロダクト数 :
SZMMBZ5260
プロダクト状態 :
活動的
記述

NS9210B-0-175分離した半導体デバイスのツェナー ダイオード43 V 225 MW ±5%の表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）

製品の説明

部品番号NS9210B-0-175はonsemiによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

NS9210B-0-175のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量NS9210B-0-175を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
2 N-Channel （二重）
FETの特徴
論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
40V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
10A
（最高） @ ID、VgsのRds
13mOhm @ 10A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
2.7V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
33nC @ 10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
1950pF @ 20V
パワー最高
2W
実用温度
-55°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け

表面の台紙
パッケージ/場合
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
製造者装置パッケージ
8-SOIC

NS9210B-0-175分離した半導体デバイス43V 225MWの表面の台紙SOT-23-3 TO-236

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MOQ :
>=2pcs
供給の能力 :
Day+pcs+2-3daysごとの20000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠;テープを切りなさい;Digi巻き枠
原産地 :
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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