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分離した半導体デバイスBSS138W H6327のN-Channel 60 V 280mA 500mWの表面の台紙PG-SOT323
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仕様
型式番号 :
BSS138W H6327
原産地 :
中国、広東省、シンセン
MOQ :
>=20pcs
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、D/P、D/A、、L/C
供給の能力 :
Day+pcs+1-2daysごとの10000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-5日
包装の細部 :
テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠
記述 :
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
パッケージ/場合 :
SC-70、SOT-323
タイプの取付け :
表面の台紙
実用温度 :
-55℃～150℃(TJ)
電圧-供給 :
4.5V、10V
FETタイプ :
Nチャンネル
プロダクト状態 :
活動的
基礎プロダクト数 :
BSS138
記述

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製品の説明

部品番号BSS138W H6327は私達が販売するプロダクトの1つである。BSS138W H6327か関連製品を必要としたら、製品仕様書、量および包装の条件を私達に与えなさい。プロダクト映像を付けることはよく私達は引用語句をできるだけ早く与える。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
60ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
280mA （Ta）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
4.5V、10V
（最高） @ ID、VgsのRds
3.5Ohm @ 200mA、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
1.4V @ 26µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
1.5 NC @ 10ボルト
Vgs （最高）
±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
43 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失（最高）
500mW （Ta）
実用温度
-55°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
PG-SOT323
パッケージ/場合
SC-70、SOT-323
基礎プロダクト数
BSS138

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製品詳細
型式番号 :
BSS138W H6327
原産地 :
中国、広東省、シンセン
MOQ :
>=20pcs
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、D/P、D/A、、L/C
供給の能力 :
Day+pcs+1-2daysごとの10000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-5日
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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