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NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン
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仕様
型式番号 :
IPN70R360P7S
MOQ :
>=2pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力 :
Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠
原産地 :
中国
パッケージ/場合 :
TO-261-4
タイプの取付け :
表面実装タイプ
実用温度 :
-40°C | 150°C （TJ）
ドレイン・ソース電圧 (Vdss) :
700ボルト
記述

IPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン70S360のN-Channel FETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

製品の説明

部品番号IPN70R360P7SはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

IPN70R360P7Sのより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量IPN70R360P7Sを加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
700ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
12.5A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
10V
（最高） @ ID、VgsのRds
360mOhm @ 3A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
3.5V @ 150µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
16.4のNC @ 10ボルト
Vgs （最高）
±16V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
517 pF @ 400ボルト
FETの特徴
-
電力損失（最高）
7.2W （Tc）
実用温度
-40°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
PG-SOT223
パッケージ/場合
TO-261-4、TO-261AA
基礎プロダクト数
IPN70R360

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製品詳細
型式番号 :
IPN70R360P7S
MOQ :
>=2pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力 :
Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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