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JDCD06-001-002 3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板
JDCD06-001-002 3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板
仕様
原産地 :
蘇州中国
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000pcs/month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD06-001-002
直径 :
3"
等級 :
主
成長方法 :
CZ
オリエンテーション :
<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
タイプ/添加物 :
Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb
厚さ(μm) :
380
厚さの許容 :
標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm
抵抗 :
0.001-100オームcm
終わる表面 :
、P/P、E/E、G/G P/E
TTV （μm） :
標準的な<10 um、最高Capabilities<5 um
弓/ゆがみ :
標準的な<40 um、最高Capabilities<20 um
粒子 :
<10>
記述

3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板


概要
シリコンウェーハは、マイクロ電子デバイスの基板として機能し、導電性と手頃な価格のため、電子回路の構築に特に役立ちます。シリコンは、宇宙全体で最も一般的な元素として 7 番目、地球上で 2 番目に一般的な元素です。シリコンを含む一般的な素材には、ビーチの砂、石英、フリント、瑪瑙などがあります。

シリコンは、レンガ、セメント、ガラスなどの建築材料の主成分です。また、電子および技術分野で最も広く使用されている最も一般的な半導体としてチャートのトップに立っています

仕様

シリコンウェーハ

直径

 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
学年 プライム
成長 方法 CZ
オリエンテーション <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
タイプ/ドーパント P型/ボロン、N型/リン、N型/As、N型/Sb
厚さ(μm) 279/380/525/625/675/725/775
厚さ 許容範囲 標準±25μm、最大能力±5μm
抵抗率 0.001～100Ωcm
水面 終了した P/E、P/P、E/E、G/G
TTV(μm) 標準 <10 um、最大機能 <5 um
弓・ワープ 標準 <40 um、最大機能 <20 um
粒子 <10@0.5um;<10@0.3um;<10@0.2um;

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

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JDCD06-001-002 3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板

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製品詳細
原産地 :
蘇州中国
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000pcs/month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
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JDCD06-001-002 3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 年数
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ありがとうございました 2020
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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