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成長方法CZのシリコンの薄片5オリエンテーション、、
成長方法CZのシリコンの薄片5オリエンテーション、、
仕様
原産地 :
蘇州中国
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000pcs/month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD06-001-002
直径 :
2"
等級 :
主
成長方法 :
CZ
オリエンテーション :
<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
厚さ(μm) :
279
厚さの許容 :
標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm
抵抗 :
0.001-100オームcm
終わる表面 :
、P/P、E/E、G/G P/E
記述

成長方法CZのシリコンの薄片のオリエンテーション <1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>

2インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質


概観

切断の後のシリコンの薄片に鋭角があり、容易に欠ける。ウエファーの端は鋭く、壊れやすい端を取除くために形づく;円形にされた端は入れる危険を、余りに最小にする。操作を形づける端はウエファーを完全に円形に（off-cutのウエファーはスライスの後で卵形である）、直径調節されるし、オリエンテーションの平たい箱かノッチは寸法を測られるか、または作られる。

指定

シリコンの薄片

直径

 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
等級 主
成長方法 CZ
オリエンテーション <1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
タイプ/添加物 Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb
厚さ（μm） 279/380/525/625/675/725/775
厚さの許容 標準的な± 25μmのCapabilit最高の/iesの± 5μm
抵抗 0.001-100オームcm
終わる表面 、P/P、E/E、G/G P/E
TTV （μm） 標準 <10>
弓/ゆがみ 標準 <40>
粒子 <10>

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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製品詳細
原産地 :
蘇州中国
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000pcs/month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
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成長方法CZのシリコンの薄片5オリエンテーション、、

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2020
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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