仕様
記述 :
IGBT モジュール 1200V 335A
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
335A
製品の状況 :
時代遅れ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
シリーズ :
-
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
2.1V @ 15V,200A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
モジュール
Mfr :
SemiQ
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
1mA
IGBTタイプ :
-
パッケージ/ケース :
モジュール
インプット :
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce :
22.4 nF @ 25V
構成 :
3相インバーター
NTC サーミストール :
そうだ
基本製品番号 :
GSID200
記述

IGBT モジュール 三相インバーター 1200 V 335 A シャーシマウントモジュール

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IGBT モジュール 1200V 335A
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電流 - コレクター (Ic) (最大) :
335A
製品の状況 :
時代遅れ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

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2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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