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MG75P12E2 ヤンジエ 電子技術 IGBT
MG75P12E2 ヤンジエ 電子技術 IGBT
仕様
記述 :
トランジスタ - IGBT - モジュールE2
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
75 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
シリーズ :
-
パッケージ/ケース :
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
2.25V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
-
Mfr :
ヤンジ・テクノロジー
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
1mA
IGBTタイプ :
-
パワー - マックス :
442W
インプット :
三相橋整流器
入力容量 (Cies) @ Vce :
2.6 nF @ 25V
構成 :
ブレーキが付いている三相インバーター
NTC サーミストール :
そうだ
記述

IGBT モジュール 3 段階インバーター ブレーキ付き 1200 V 75 A 442 W シャーシマウント

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MG75P12E2 ヤンジエ 電子技術 IGBT

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製品詳細
記述 :
トランジスタ - IGBT - モジュールE2
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
75 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
連絡するサプライヤー
MG75P12E2 ヤンジエ 電子技術 IGBT

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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