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VS-GT80DA120U 隔離ゲート双極トランジスタ ビシェイ半導体
VS-GT80DA120U 隔離ゲート双極トランジスタ ビシェイ半導体
仕様
記述 :
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
139 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
シリーズ :
HEXFRED®
パッケージ/ケース :
SOT-227-4 ミニブロック
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
2.55V @ 15V,80A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
SOT-227
Mfr :
Vishay大将半導体-ダイオード部
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
100 μA
IGBTタイプ :
堀
パワー - マックス :
658W
インプット :
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce :
4.4 nF @ 25V
構成 :
シングル
NTC サーミストール :
はい
基本製品番号 :
GT80
記述

IGBT モジュール トレンチ シングル 1200 V 139 A 658 W シャーシマウント SOT-227

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VS-GT80DA120U 隔離ゲート双極トランジスタ ビシェイ半導体

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製品詳細
記述 :
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBTs IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
139 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
散装品
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VS-GT80DA120U 隔離ゲート双極トランジスタ ビシェイ半導体

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

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2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
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