7A650V スーパー・ジャンクション MOSFET 大きいEMI 幅 Nチャネル MOSFET LC65R600F

製品説明:

このMOSFETの重要な特徴の1つは 100%の雪崩テスト設計で 高電圧のピークや他の厳しい条件を 障害なく対応できるようにしていますMOSFET の Ron*A 性能ははるかに低い超低電圧抵抗と高効率を備えています

テレコムやサーバーのアプリケーション用の電源を設計しているかどうかにかかわらず スーパージャンクション MOSFETは優れた選択です信頼 さ れ て 頑丈 な 設計 に よっ て,スムーズ に 効率 的 に 動作 する高いEMIの利回りにより 必要な性能と信頼性を 保証できます

特徴:

• 製品名:スーパージャンクションMOSFET
• エミ・マーージン: EMIの大きなマーージン
• デバイスタイプ:電源分離装置
• 適用:テレコム/サーバー電源
• 製造者:リンクソン
• タイプ:N
• 特徴:
  • 高密度超交差点設計
  • 非常高い変換強度
  • EMI 改良 デザイン

技術パラメータ:

応用:

LC65R600F MOSFETの特徴の一つは,高速スイッチ効率のために,はるかに低いFOMです.これは,高周波スイッチを可能にします.迅速かつ効率的な性能を必要とする電源に最適化.

LC65R600F MOSFETは,高速スイッチ機能に加えて,EMIの幅が大きく,必要な規制要件を満たすことを保証します.

全体的に,Lingxun LC65R600F スーパージャンクション MOSFETは,通信またはサーバーの電源のために高性能の電源分離装置を必要とするすべての人にとってトップラインの選択です.信頼 と し て 頑丈 な 設計FOM と高周波スイッチ機能の相乗効果により,幅広い用途で汎用的で信頼性の高いオプションとなっています.

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Q1. 私たちは誰ですか?

A: 私たちは,中国,広東に拠点を置く,工場は2012年から開始, パワー半導体デバイスのパッケージングとテストに焦点を当てた国家ハイテク企業です.現在180以上の従業員と10000平方メートル以上の面積を持っています年間600KK以上の高品質の電源半導体装置を供給しています

Q2.あなたの製品ラインは?

A:現行の主要生産ラインには,Schottky,Low VF Schottky,Fast Recovery Diodes,High Voltage Mosfet,MediumおよびLow Voltage Mosfet,Super Junction Mosfet,IGBT,SiC短距離バリアダイオードとSicモスフェットなど.

Q3.あなたの製品は何の用途ですか?

A:電源アダプター,LED照明,ブラシレスモーター,リチウム電池管理,インバーター,エネルギー貯蔵,充電など様々な分野で広く使用されています.

Q4.あなたの競争優位性は?

A: その通り1工場の能力は強烈です. 我々は,私たちの独自の組み立てとテスト工場, 固定投資は,70万元を超えています. 最高自動化ワイヤボンド機器を持っている,年間600KK以上の半導体電源装置を提供.

2サービスメリット 安定した供給システム 持続可能で安定した製品供給 独自の研究室は迅速かつ効果的に検証に協力できます

3品質保証 梱包とテストの分野で最も主流のMESシステムデジタルファクトリーで,ISO9001 2015版とIATF16949によって認証されています.

4製品アップグレード より多くの顧客のアプリケーションニーズを満たすために,新しい仕様とパッケージの形を継続的に研究し,開発します.

Q5.あなたのパッケージング条件は何ですか?

A:通常,異なるパッケージのパッケージは異なります.TO-252/263はリール+密閉袋+内箱+箱です.TO-220/247はチューブ+内箱+箱です.

Q6.あなたのMOQは?

A: 我々は,各項目のサンプルを提供します. MOQは,あなたの注文量に依存します.

Q7.品質保証は?

A: 試験のためにサンプルを提供してください. 散装製品がサンプルと一致していることを確認してください. 変更があった場合,サンプルは再び試験のために提供されます.配送前に100%のテストとすべての製品をチェック.

Q8 についてオーダーメイドは受けますか?

A:はい,あなたの要求を私に送信してください!

Q9.どう連絡できますか?

A:ご質問の詳細は,下記で送ってください.
その他の質問は,私達に連絡してください.私たちは常にあなたのサービスです!