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Jul 10, 2025
290 意見
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製品説明: 大 EMI マージン 優れたゲートチャージ 100% 雪崩 テスト 状態での効率性に対するRON*A性能ははるかに低い 製品説明: このMOSFETの主要な特徴の1つは,EMIの改善された設計である.EMIの幅が大きく,EMIが懸念されるアプリケーションで使用するのに理想的です.これは特に電信と
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N型スーパージャンクション モスフェット 通信 / サーバー電源
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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
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00:32
650V スマートフォン 下回り 抵抗 超接線 モスフェット
00:33
抵抗が極低でEMIの利差が大きい安定電源ディスクリートデバイス
00:27
テレコム / サーバー 電源 Sj モスフェット 高性能
00:22
シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い
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