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LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET
LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET
仕様
産地 :
中国
最低注文量 :
注文の要求に応じて
支払条件 :
T/T
供給能力 :
600KK/年
配達時間 :
注文の要求に応じて
パッケージの詳細 :
Tube+Carton
内部抵抗 :
超小さい内部抵抗
容量 :
超低い接続点キャパシタンス
装置タイプ :
力の分離した装置
適用する :
連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等
チャネル :
N
利点 :
それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある
記述

LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET

 

特徴
• ゲート 料金 の 低さ
•チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM)
• 切り替えと伝導損失が非常に少ない
• 非常高い変換耐久性
 
応用
• ソーラー インバーター
• LCD/LED/PDPテレビ
電気通信/サーバーの電源
• AC-DC 電源
 

サポートとサービス

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LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET

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製品詳細
産地 :
中国
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パッケージの詳細 :
Tube+Carton
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LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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1 年数
guangdong, dongguan
ありがとうございました 2012
主な製品 :
, ,
年間総額 :
>40000000
従業員数 :
>200
認証レベル :
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