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IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A
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IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A
仕様
型式番号 :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
原産地 :
中国
MOQ :
10pieces
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
包装の細部 :
標準パッケージ
家族 :
ディスクリート半導体製品
部門 :
電子部品-MOSFET（金属酸化物）
シリーズ :
HEXFET MOSFET（金属酸化物）
基礎部品番号 :
IRFB4
細部 :
Nチャネル180A（Tc）200W（Tc）スルーホールTO-220AB
タイプ :
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
記述 :
トランジスタMOSFETN-CH TO220AB
パッケージ :
TO220
タイプの取付け :
穴を通して
ストック :
ストック
記述

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104AトランジスタTO-220ABHEXFET FETs MOSFET

トランジスタNチャネル180A200WスルーホールTO-220ABHEXFET FETMOSFET

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104A

説明：
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。
この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。

Nチャネル180A（Tc）200W（Tc）スルーホールTO-220AB仕様：

カテゴリー
ディスクリート半導体製品
　
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
製造元
インフィニオンテクノロジーズ
シリーズ
HEXFET®
パッケージ
チューブ
FETタイプ
Nチャネル
テクノロジー
MOSFET（金属酸化物）
ドレインからソースへの電圧（Vdss）
40 V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
180A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs
3.7mオーム@ 75A、10V
Vgs（th）（Max）@ Id
4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
4340 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力（最大）
200W（Tc）
作動温度
-55°C〜175°C（TJ）
取付タイプ
スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本製品番号
IRF1404


環境と輸出の分類
属性 説明
RhoHSステータス ROHS3準拠
水分感受性レベル（MSL） 1（無制限）
REACHステータス 影響を受けないリーチ
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095



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製品詳細
型式番号 :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
原産地 :
中国
MOQ :
10pieces
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 年数
hongkong, shenzhen
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
主な製品 :
, ,
年間総額 :
80 millions-500 millions
従業員数 :
20~200
認証レベル :
Verified Supplier
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